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9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，南京大學教授修向前受邀將出席會議，并帶來《氮化鎵襯底生長工藝及設備技術研究》的主題報告，敬請關注！

鎵仁半導體8英寸氧化鎵襯底通過了國內/國外知名機構的檢測，并聯合發布檢測結果。

高性能氮化鎵（GaN）金屬氧化物半導體（MOS）晶體管離不開具有低界面態和低漏電流的高質量MOS結構。然而，與SiO2/Si體系相比，氧

格棋化合物半導體宣布將往大尺寸碳化硅布局。

三安光電通過其投資者關系平臺正式宣布，位于湖南的三安半導體基地成功實現了8英寸碳化硅（SiC）芯片生產線的投產運營。

惠然微電子作為半導體量檢測設備領域的領航者，攜諸多核心技術成果亮相第十三屆半導體設備與核心部件及材料展.

據涪陵高新區綜保區消息，在涪陵高新區（涪陵綜保區）重慶新陵微電子有限公司（以下簡稱重慶新陵微）6寸功率半導體廠房及配套設

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，連城數控半導體裝備事業部/連科半導體有限公司總經理胡動力受邀將出席會議，并帶來《8/12吋碳化硅長晶爐技術進展及發展方向》的主題報告，敬請關注！

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將在云南昆明舉辦。云南大學材料與能源學院（研究員、云南省重點實驗室副主任）、云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經理王茺受邀將出席會議，并帶來《GaSb基異質薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關注！

安利股份在半導體領域，依托公司在聚氨酯復合材料領域的技術積累，公司歷經兩年的技術開發與驗證，目前首批小批量訂單已實現量產交付

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，中國科學院半導體研究所研究員楊曉光受邀將出席會議，并帶來《硅基III-V族材料外延及異質集成研究進展》的主題報告，敬請關注！

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，昆明理工大學，校聘副教授，碩導；云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司，在職博士后鄧家云受邀將出席會議，并帶來《磷化銦晶圓力學性能與加工性能研究：理論計算、分子動力學仿真、實驗驗證》的主題報告，敬請關注！

9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，中國電子信息產業發展研究院集成電路研究所化合物半導體與分立器件研究室主任解楠受邀將出席會議，并帶來《氮化鋁寬禁帶材料發展現狀及技術演進趨勢研究》的主題報告，分享最新相關趨勢，敬請關注！

重慶新陵微電子有限公司 6寸功率半導體廠房及配套設施項目正緊鑼密鼓地進行室內裝修與設備安裝

隨著全球對能源效率和可持續發展的關注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導體材料，正在快速崛起。SiC以其優異的

據湖南省第三工程有限公司官微消息，近日，韶光芯材高精密半導體與高世代FPD光掩模基板制造基地項目正全速推進中。該項目位于湖

8月28日，湖北九峰山創新街區投資有限公司揭牌成立，將作為實施主體，全面負責光谷化合物半導體產業創新街區（以下簡稱創新街區

由蘇州晶湛半導體有限公司牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，

8月25日，練市鎮人民政府與江西芯誠微電子有限公司、江蘇芯旺電子科技有限公司分別就車規級功率半導體產業化項目芯旺半導體集成

日前，三安光電在投資者互動平臺透露，湖南三安8吋碳化硅芯片產線已通線。這也意味著，湖南三安半導體正式轉型為8英寸SiC垂直整