2025年7月，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”) 8英寸氧化鎵襯底通過了國內/國外知名機構的檢測，并聯合發布檢測結果。

第三方檢測結果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達到國際領先水平。8英寸高質量氧化鎵襯底的問世，標志著氧化鎵產業化應用邁入全面加速落地階段，是產業發展的重要里程碑。

深圳平湖實驗室檢測結果

本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結果：22~26 arcsec。

8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結果-（深圳平湖實驗室）

馬爾文帕納科亞太卓越應用中心檢測結果

本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結果分別為：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結果-（馬爾文帕納科亞太卓越應用中心）

一、8英寸的產業意義

2025年3月，鎵仁半導體發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。中國氧化鎵率先進入8英寸時代，具有深遠的產業意義：

首先，8英寸氧化鎵能夠與現有硅基芯片廠的8英寸產線兼容，這將會顯著加快其產業化應用的步伐。

其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，單片晶圓可制造芯片數量呈幾何級增長，降低生產成本、提升生產效率。

最后，中國率先突破8英寸技術壁壘，不僅標志著我國在超寬禁帶半導體領域的技術進步，更為我國氧化鎵產業在全球半導體競爭中搶占了先機，有力推動我國在全球半導體競爭格局中占據優勢地位。

二、8英寸已實現銷售出貨

目前在售的氧化鎵襯底晶圓主要以2英寸和4英寸為主，難以與主流的Fab場產線設備兼容，這提高了下游器件廠商研發的難度與成本，導致氧化鎵應用推進緩慢。

本次質量檢測結果充分證明，鎵仁半導體8英寸晶圓襯底質量優異，能夠滿足硅基8英寸產線生產要求，這將大幅降低下游應用端研發的難度與成本，促進產業化應用的快速落地。

鎵仁半導體氧化鎵襯底已逐步實現產業化，為下游客戶提供大尺寸高質量的氧化鎵單晶襯底產品。目前，鎵仁半導體8英寸襯底已實現產品銷售出貨。

鎵仁半導體自研氧化鎵專用

VB法晶體生長設備全面開放銷售

鎵仁半導體不僅提供氧化鎵單晶襯底產品，還全面開放氧化鎵專用VB法晶體生長設備及配套工藝包的銷售。

2024年9月，鎵仁半導體推出了首臺自研氧化鎵專用晶體生長設備，不僅能夠滿足氧化鎵生長對高溫和高氧環境的需求，而且能夠進行全自動化晶體生長，減少了人工干預，顯著提高了生產效率和晶體質量。

該設備通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，滿足高校、科研院所、企業客戶對氧化鎵晶體生長的科研、生產等各項需求。該型氧化鎵VB法長晶設備及其工藝包已全面開放銷售。

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