近日，三安光電通過其投資者關系平臺正式宣布，位于湖南的三安半導體基地成功實現了8英寸碳化硅（SiC）芯片生產線的投產運營。該產線自啟動建設至全線貫通，總用時不足一年，建設周期大幅短于行業平均水平，進度顯著超出預期。

截至目前（2025年8月），湖南三安已初步構建起覆蓋碳化硅襯底、外延及芯片制造的完整產業鏈條。具體產能布局包括：6英寸碳化硅晶圓月產能已達1.6萬片，8英寸襯底月產能為1000片，外延月產能為2000片。此外，該基地還同步推進氮化鎵業務，硅基氮化鎵器件月產能也已達到2000片。

湖南三安碳化硅全產業鏈項目總投資規模高達160億元人民幣，致力于打造一個同時兼容6英寸和8英寸碳化硅技術的垂直整合型量產平臺。據預估，項目全面滿產后，可實現年產6英寸碳化硅晶圓36萬片、8英寸碳化硅晶圓48萬片的最大產能，將極大緩解國內新能源汽車、工業控制等領域對高端碳化硅器件的迫切需求。

值得注意的是，就在今年2月27日，三安光電還與全球半導體巨頭意法半導體共同宣布，其合資建設的重慶碳化硅晶圓廠順利完成產線調試，預計將在今年第四季度全面實現量產。

該工廠不僅是我國首條專注于車規級功率芯片的8英寸碳化硅大規模生產線，更標志著國產碳化硅器件正式邁入高端汽車電子供應鏈。全面量產后，預計每周可穩定產出約1萬片符合車規級標準的碳化硅晶圓，為中國新能源汽車電驅系統和充電基礎設施提供核心半導體支持。