由蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經(jīng)過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS 060—2024《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》于2025年8月29日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。

T/CASAS 060—2024《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》規(guī)定了用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存。適用于在硅襯底上生長的用于功率電子領(lǐng)域的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)，測試分析及質(zhì)量評價。

【本文件主要起草單位】

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司、北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司、廈門市三安集成電路有限公司、中山大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、北京大學(xué)東莞光電研究院、廣東工業(yè)大學(xué)、大連理工大學(xué)、珠海鎵未來科技有限公司、中國科學(xué)院微電子研究所，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

【本文件主要起草人】

向鵬、程凱、盧國軍、葉念慈、劉成、劉揚、賈利芳、施宜軍、劉強、賀志遠、黃火林、王中黨、曾凡明、康玄武、王鈺、王文平、高偉。

（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）