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晶能微電子項(xiàng)目：廠房建設(shè)按下快進(jìn)鍵昨天上午，走進(jìn)位于嘉興國(guó)家高新區(qū)（高照街道）唯勝路與八字路段的晶能微電子項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)，

功率半導(dǎo)體器件與集成電路是電能轉(zhuǎn)換與控制的核心，主要用于電子系統(tǒng)中電能的變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等。功率半導(dǎo)

長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)大武漢客戶端4月9日訊（記者 李琴 通訊員 游茁瑞）4月9日舉行的2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，華工科技圍

長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)大武漢客戶端4月10日訊（記者李琴　通訊員張希為）正在中國(guó)光谷舉行的2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，九峰

4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢中國(guó)光谷科技會(huì)展中心開幕。海內(nèi)外化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚一堂

今天（4月9日）2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢光谷正式開幕。9位國(guó)內(nèi)外院士、300多名行業(yè)領(lǐng)軍人、800多家企業(yè)代表齊聚一堂，近萬名觀眾到場(chǎng)觀展觀會(huì)，這也是國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性盛會(huì)。

長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)4月8日訊（記者　李琴）　我們每天都在做世界上最好的EDA！踏進(jìn)湖北九同方微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱九同方），一行大字

全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓下線，將盡快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)商用；破解太赫茲器件頻率瓶頸，產(chǎn)品性能達(dá)國(guó)際前沿水平一手牽科研

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)取得一項(xiàng)名為一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，授權(quán)公告號(hào)CN114373837B，申請(qǐng)

4月8日，安建半導(dǎo)體宣布C1輪融資圓滿收官，獲得超過2億元融資，由北京國(guó)管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投

近日獲悉，第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房（二期）正緊張有序施工中，現(xiàn)已完成總工程量的15%，預(yù)計(jì)年底完成整體結(jié)構(gòu)封頂。據(jù)

近日，據(jù)湖北新聞透露，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶片及外延片、年產(chǎn)

2024年4月8-11日，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性展會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)將在武漢光谷科技會(huì)展中心舉行。

2024年4月8-11日，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性展會(huì)2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)將在武

?2024年4月8-11日，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性展會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)將在武漢光谷科技會(huì)展中心舉行。

中電科風(fēng)華信息裝備股份有限公司誠(chéng)邀業(yè)界同仁蒞臨參觀、交流合作。

根據(jù)桐廬經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管委會(huì)報(bào)道，3月31日，在浙江省桐廬經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)招商引資項(xiàng)目簽約儀式上，激光切割設(shè)備及年產(chǎn)100萬片SiC襯底生

科友半導(dǎo)體官微消息，2024年3月27日，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展八英寸碳化硅完美籽晶的項(xiàng)目合作。

近日，廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)康聞?dòng)钐厝胃毖芯繂T和尹君副教授在人工智能輔助的SiC單晶無損表征方面取得重要進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“Non-destructive and deep learning-enhanced characterization of 4H-SiC material”為題發(fā)表于Aggregate期刊。該工作為重現(xiàn)SiC晶體的生長(zhǎng)過程、快速優(yōu)化生長(zhǎng)工藝提供一條全新的途徑，相關(guān)技術(shù)對(duì)于提高第三代半導(dǎo)體單晶生產(chǎn)效率表現(xiàn)出重要的應(yīng)用前景。

天眼查顯示，大連理工大學(xué)氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年3月26日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117761126A