4月8日，安建半導(dǎo)體宣布C1輪融資圓滿收官，獲得超過2億元融資，由北京國(guó)管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級(jí)IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺(tái)，擴(kuò)建汽車級(jí)IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線，擴(kuò)充銷售及其他人才團(tuán)隊(duì)，增加營(yíng)運(yùn)現(xiàn)金流儲(chǔ)備等。

安建半導(dǎo)體是一家從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售的公司，其現(xiàn)有低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線。安建半導(dǎo)體官方消息顯示，公司擁有由香港科技大學(xué)教授、大中華區(qū)唯一一位從事硅基功率半導(dǎo)體研究的美國(guó)電子電氣工程師學(xué)會(huì)院士（IEEE Fellow）所領(lǐng)銜的業(yè)內(nèi)頂尖技術(shù)團(tuán)隊(duì)。

據(jù)悉，安建半導(dǎo)體目前已推出1200V-17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設(shè)SiC模塊封裝產(chǎn)線和開發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。

安建半導(dǎo)體指出，其早于2019年即在國(guó)內(nèi)頂尖8-inch晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，是國(guó)內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代IGBT的國(guó)產(chǎn)廠家，并完全擁有相關(guān)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

2023年9月，安建半導(dǎo)體官宣近期將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國(guó)內(nèi)頂級(jí)12-inch IGBT加工平臺(tái)，也是國(guó)內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國(guó)產(chǎn)廠家。

（來源：集微）