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方正微電子副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華發(fā)布了車(chē)規(guī)/工規(guī)碳化硅MOS 1200V全系產(chǎn)品碳化硅新品

格棋化合物半導(dǎo)體宣布將往大尺寸碳化硅布局。

三安光電通過(guò)其投資者關(guān)系平臺(tái)正式宣布，位于湖南的三安半導(dǎo)體基地成功實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線的投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。

近日，特凱斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅襯底項(xiàng)目正式簽約浙江仙居。

9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí)，連城數(shù)控半導(dǎo)體裝備事業(yè)部/連科半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理胡動(dòng)力受邀將出席會(huì)議，并帶來(lái)《8/12吋碳化硅長(zhǎng)晶爐技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展方向》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的

超芯星新一代8mΩcm低阻碳化硅襯底，擁有零TSD缺陷和極低的BPD密度（53個(gè)/cm2）的卓越晶質(zhì)，將為下游客戶(hù)帶來(lái)四大核心變革

日前，三安光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，湖南三安8吋碳化硅芯片產(chǎn)線已通線。這也意味著，湖南三安半導(dǎo)體正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整

12英寸碳化硅上下游生態(tài)仍處于前期驗(yàn)證階段，尚不具備大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化條件，公司將視產(chǎn)業(yè)鏈成熟度及客戶(hù)需求穩(wěn)步推進(jìn)

九峰山實(shí)驗(yàn)室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研級(jí)器件樣品，旨在滿足產(chǎn)業(yè)及科研機(jī)構(gòu)對(duì)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測(cè)試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動(dòng)下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

據(jù)徐州日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日，徐州高新區(qū)再傳捷報(bào)江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)江蘇集芯）成功出爐首枚8英寸液相法（LPE）高質(zhì)量

中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司年產(chǎn)100萬(wàn)毫米碳化硅單晶項(xiàng)目啟動(dòng)儀式在山西省太原市舉行。

由寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心主辦，InSemi Research、協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體聯(lián)合承辦，碳化硅芯觀察協(xié)辦，功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟、無(wú)錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、無(wú)錫市集成電路學(xué)會(huì)協(xié)辦的“功率器件制造測(cè)試與應(yīng)用大會(huì)(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國(guó)無(wú)錫盛大啟幕。

這款 200 kW 三相逆變器參考設(shè)計(jì)展示了基于 Wolfspeed 創(chuàng)新型的 2300 V 無(wú)基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔性和可擴(kuò)展性。該

山西天成半導(dǎo)體材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。

晶越半導(dǎo)體繼2025年上半年成功量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)投入并不斷加大研發(fā)力度，并在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯電子在浙江義烏晶圓廠(Yfab)隆重舉辦主題為創(chuàng)芯八載，無(wú)限熱愛(ài)的8

寧夏創(chuàng)盛年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)

近年來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)更是呈現(xiàn)資金加速涌入、產(chǎn)能快速擴(kuò)張、企業(yè)積極出海的發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體設(shè)

近期，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能