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近期，寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱瑞薩電子）達成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強等優(yōu)異性能，在藍綠激

納微半導(dǎo)體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過AEC-Q100和AEC-Q101兩項車規(guī)認證，這標志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學分析方法 痕量雜質(zhì)元素含量的測定 輝光放電質(zhì)譜法》標準解讀國標（北京）檢驗認證有限公司劉紅一、

英諾賽科(02577.HK)公告，公司發(fā)布了自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西譽鴻錦材料科技有限公司取得一項名為種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法的專利，授權(quán)

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鎵特半導(dǎo)體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器的專利，授權(quán)公告號CN

氮化鎵（GaN）正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)游戲規(guī)則。近日，九峰山實驗室已從材料、器件到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用取得一系列突破性成果。九峰山實驗室8英

近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前

九峰山實驗室GaN系列成果首次重磅發(fā)布！在顛覆性材料、器件及設(shè)計創(chuàng)新、系統(tǒng)級應(yīng)用創(chuàng)新方面，重磅發(fā)布國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）、全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺、動態(tài)遠距離無人終端無線能量傳輸完成示范驗證。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權(quán)公告號 CN 222563696 U，

3月10日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡稱新微半導(dǎo)體）正式推出650V硅基氮化鎵增強型（E-mode）功率工藝代工平臺。該平臺憑借高頻

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近日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”在重慶召開。期間，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用“上，浙江大學教授、杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司董事長張輝，帶來了“大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進展”主題報告。

2月28日，“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”，分論壇二：氮化鎵及其他功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用”，圍繞氮化鎵、氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用，氮化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用，氮化鎵、氧化鎵及金剛石功率半導(dǎo)體制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備等熱點主題與方向深入分享探討。

近日，浙江大學集成電路學院柯徐剛研究員團隊，提出了一款工業(yè)級可量產(chǎn)、應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵的高效

2025年2月24日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過1項硅襯底