國家知識產權局信息顯示，安徽長飛先進半導體有限公司申請一項名為半導體器件的處理方法及半導體器件的專利，公開號CN 118888436
國家知識產權局信息顯示，飛锃半導體（上海）有限公司申請一項名為半導體結構及其形成方法的專利，公開號 CN 118888448 A，申請
國家知識產權局信息顯示，上海漢虹精密機械有限公司申請一項名為一種單晶爐碳化硅爐專用的KF40電動蝶閥的專利，公開號 CN 118881
國家知識產權局信息顯示，粵芯半導體技術股份有限公司申請一項名為一種光刻機對準方法的專利，公開號CN 118838133 A，申請日期為
國家知識產權局信息顯示，重慶芯聯微電子有限公司申請一項名為掩膜版圖形及其優化方法的專利，公開號 CN 118838110 A，申請日期
國家知識產權局信息顯示，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為半導體結構及制備方法的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023
國家知識產權局信息顯示，深圳市聯微半導體設備有限公司取得一項名為定位裝置的專利，授權公告號CN 221885077 U，申請日期為2024
作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。
國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218
國家知識產權局信息顯示，漢斯半導體（江蘇）有限公司取得一項名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權公告號 CN 221871
工業和信息化部、國家發展改革委、財政部、國務院國資委、市場監管總局、國家數據局等六部門近日聯合印發通知，部署開展2024年度
國家機關事務管理局、中共中央直屬機關事務管理局聯合印發了《關于做好中央和國家機關新能源汽車推廣使用工作的通知》
國家知識產權局信息顯示，蘇州高視半導體技術有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統的晶圓檢測方法及其相關產品的專利，公開號 C
國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機焦距監控方法、焦距監控掩膜版及其形成方法的專
國家知識產權局信息顯示，蘇州敏芯微電子技術股份有限公司申請一項名為力傳感器的封裝結構及其制造方法的專利，公開號 CN 118817
國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名為接觸孔自對準的MOSFET制造方法的專利，公開號 CN 11876299
國家知識產權局信息顯示，廣東氣派科技有限公司申請一項名為一種 MOSFET 的封裝結構的專利，公開號 CN 118763060 A，申請日期為
國家知識產權局信息顯示，杭州鎵仁半導體有限公司申請一項名為一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護層結構及其劃片方法的專利，公
國家知識產權局信息顯示，江蘇集芯先進材料有限公司申請一項名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340
10月17日，東湖高新區舉辦新聞發布會，正式發布《促進未來產業發展實施方案》。《方案》立足國家定位特殊、武漢科教特長、光谷產