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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東氣派科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)的專利，公開號(hào) CN 118763060 A，申請(qǐng)日期為

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護(hù)層結(jié)構(gòu)及其劃片方法的專利，公

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置的專利，公開號(hào)CN 118756340

10月17日，東湖高新區(qū)舉辦新聞發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布《促進(jìn)未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)施方案》。《方案》立足國(guó)家定位特殊、武漢科教特長(zhǎng)、光谷產(chǎn)

工業(yè)和信息化部、國(guó)家發(fā)展改革委近日聯(lián)合印發(fā)《新材料中試平臺(tái)建設(shè)指南（2024—2027年）》

10月13日，由山東省科技廳指導(dǎo)，山東省創(chuàng)新發(fā)展研究院(以下簡(jiǎn)稱省創(chuàng)發(fā)院)和國(guó)家信息通信國(guó)際創(chuàng)新園服務(wù)中心共同主辦的山東集成電

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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法的專利，公開號(hào) CN 118748202

“智慧健康照明技術(shù)及應(yīng)用”主題分會(huì)上，來自南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心（南昌實(shí)驗(yàn)室）、朗德萬斯、江西省應(yīng)用光學(xué)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、金鑒實(shí)驗(yàn)室、勤上光電、升譜光電、同方股份等實(shí)力派代表性企業(yè)機(jī)構(gòu)的嘉賓們帶來精彩報(bào)告

近日，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局發(fā)布了北京市第六批專精特新小巨人企業(yè)和第三批專精特新小巨人復(fù)核通過企業(yè)名單。順義區(qū)第三代半導(dǎo)體

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。

武進(jìn)國(guó)家高新區(qū)—常州大學(xué)化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新聯(lián)合體正式簽約揭牌

萬業(yè)企業(yè)與國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略協(xié)議

2024年6月24日，全國(guó)科技大會(huì)、國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)、兩院院士大會(huì)在京召開，黨和國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)人出席大會(huì)并為獲獎(jiǎng)代表頒獎(jiǎng)。據(jù)悉，2

國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心與長(zhǎng)城汽車股份有限公司共同揭牌成立“車規(guī)級(jí)芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”

新華社北京5月30日電 國(guó)務(wù)院總理李強(qiáng)日前簽署國(guó)務(wù)院令，公布《國(guó)務(wù)院關(guān)于修改〈國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)條例〉的決定》(以下簡(jiǎn)稱《決定

4月16日，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)在濟(jì)南召開。山東大學(xué)副校長(zhǎng)蘆延

晶能微電子項(xiàng)目：廠房建設(shè)按下快進(jìn)鍵昨天上午，走進(jìn)位于嘉興國(guó)家高新區(qū)（高照街道）唯勝路與八字路段的晶能微電子項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)，

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)取得一項(xiàng)名為一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，授權(quán)公告號(hào)CN114373837B，申請(qǐng)