國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法”的專利，公開(kāi)號(hào) CN 118817125 A，申請(qǐng)日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，涉及力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有力傳感器的力傳遞靈敏度低的問(wèn)題。本申請(qǐng)?zhí)峁┑牧鞲衅鞯姆庋b結(jié)構(gòu)包括襯底，其第一表面設(shè)有間隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽的槽底設(shè)有凸臺(tái)；器件結(jié)構(gòu)支撐于第一表面并包括可動(dòng)質(zhì)量塊和用于固定可動(dòng)質(zhì)量塊的錨點(diǎn)，可動(dòng)質(zhì)量塊的一部分懸空于第一凹槽的開(kāi)口端，另一部分固定支撐于第一表面，可動(dòng)質(zhì)量塊構(gòu)成第一極板，錨點(diǎn)固設(shè)于凸臺(tái)上；ASIC芯片與所述器件結(jié)構(gòu)背對(duì)所述襯底的一側(cè)相鍵合，且其朝向器件結(jié)構(gòu)的側(cè)表面設(shè)有第二極板第二極板與第極板相對(duì)且間隔設(shè)置以構(gòu)成可變電容；其中，第一凹槽的槽底和/或第二凹槽的槽底設(shè)有第三凹槽。