國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”的專利，公開(kāi)號(hào) CN 118888448 A，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有外延層，所述外延層中形成有第一摻雜區(qū)、位于所述第一摻雜區(qū)中的第二摻雜區(qū)以及位 于所述第二摻雜區(qū)中的第三摻雜區(qū)所述外延層表面形成有暴 露部分所述第三摻雜區(qū)的柵極氧化層和柵極層；第一開(kāi)口，位 于所述暴露的第三摻雜區(qū)中；第一金屬硅化物，位于所述第一 開(kāi)口中；層間介質(zhì)層，位于所述第一金屬硅化物表面。本申請(qǐng)?zhí)?供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，可以提高第一金屬硅化物的 對(duì)準(zhǔn)精度；提高第一金屬硅化物和第二金屬硅化物的電連接 性；提高電場(chǎng)分布，提高器件性能和可靠性。