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　　據悉，英諾賽科氮化鎵項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，主要建設從器件設計、驅動IC設計開發、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產業鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。

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　　該項目建成后將成為世界一流的集研發、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺。

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　　英諾賽科CEO孫在亨曾表示，該項目建成后將填補我國高端半導體器件的產業空白。同時，該項目也是該領域全球首個大型量產基地，為5G移動通信、新能源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能源互聯網等產業的自主創新發展和其他轉型升級行業核心電子元器件。