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　　據(jù)悉，英諾賽科氮化鎵項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，主要建設從器件設計、驅(qū)動IC設計開發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。

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　　該項目建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。

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　　英諾賽科CEO孫在亨曾表示，該項目建成后將填補我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白。同時，該項目也是該領域全球首個大型量產(chǎn)基地，為5G移動通信、新能源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展和其他轉(zhuǎn)型升級行業(yè)核心電子元器件。