48所成功實現第三代半導體SiC外延設備的首次大規模批量發貨，共計30臺套。
南沙構建第三代半導體全產業鏈集聚生態
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國
英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。
近日，江蘇印發《關于支持南京江北新區高質量建設的意見》（以下簡稱：《意見》），以貫徹落實國家關于促進國家級新區高質量建設
1月10日，杰立方半導體（香港）有限公司（以下簡稱杰立方）在大灣區（深圳）工商界高峰論壇及交流會2025上，與香港工業總會（FHK
隨著三代半廠房二期項目主體結構封頂，中關村順義園內的三代半特色產業園區發展基石再夯實。記者了解到，該園區初步形成了從裝備
今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科
科瑞半導體實施功率半導體產業鏈倍增計劃，推進第三代半導體等功率器件封測產線的升級，于6月投資啟動實施一期項目IGBT、SiC第三代半導體基礎工藝封測產線建設，擴建半導體功率器件框架生產線，主要應用于充電樁、新能源汽車等領域。
武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發，通過了行業專家驗證
“第三代半導體標準與檢測研討會”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導體標準與檢測相關的最新進展。
在第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇重要產業峰會上，眾多專家學者齊聚探討Mini/Micro-LED技術產業應用最新趨勢。
期間“第三代半導體標準與檢測研討會”上，深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術與典型應用”的主題報告，結合第三代半導體功率器件產業鏈與分析檢測應用之關聯，第三代半導體功率器件分析流程，具體介紹了無損分析，電性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–結構與缺陷觀察等內容。
商務部印發《支持蘇州工業園區深化開放創新綜合試驗的若干措施》。
2024年度中國第三代半導體技術十大進展的重磅揭曉，這些進展不僅代表了行業的技術前沿，也預示著產業發展的新方向，受到了與會代表的廣泛關注和熱烈討論。
第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波帶來了“基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件”的主題報告，分享了藍寶石襯底上AlN的外延生長及其器件研制、Si襯底上GaN的外延生長及其器件研制的最新研究進展。
11月25日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過2項氮化鋁晶片
本次論壇通過大會、230余個報告，16場主題技術分論壇、5場熱點產業峰會、4場強芯沙龍會客廳主題對話，近30個專題活動，以及先進半導體技術應用創新展、POSTER展示交流等多種形式的活動，全面深入探討國內外新形勢下半導體照明與第三代半導體產業的技術進展、機遇與挑戰和產業生態建設。
作為論壇同期重要配套活動之一，《強芯沙龍·會客廳》首次線下開展，20-21日，連開四場，并特邀四位第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長坐鎮主持，圍繞海外業務拓展與貿易風險、投融資與信貸、知識產權與專利運營、平臺建設與人才培養四大主題展開探討。