?2025年2月24日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)1項(xiàng)硅襯底氮化鎵外延片方面的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議，詳細(xì)信息如下：
秘書(shū)處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 060—202X 《HEMT器件用硅襯底氮化鎵外延片》旨在規(guī)范用于制備HEMT用的Si襯底GaN外延材料在關(guān)鍵參數(shù)要求、測(cè)試方法、檢測(cè)規(guī)則、包裝運(yùn)輸?shù)确矫娴臉?biāo)準(zhǔn)，為后續(xù)制造GaN功率器件提供基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)Si襯底GaN外延材料以6英寸和8英寸為主，本文件對(duì)6英寸和8英寸外延材料做了規(guī)范。首先提出了使用的Si襯底的參數(shù)要求；其次提出了外延片的材料的晶體質(zhì)量、外延層厚度及翹曲、表面顆粒、表面粗糙度等要求；也提出了外延材料的二維電子氣(2DEG)濃度、遷移率、方阻不均勻性、緩沖層垂直擊穿電壓及漏電流等參數(shù)要求，以確保外延片性能符合器件性能和應(yīng)用的需求；同時(shí)還應(yīng)提出了外延片厚度不均勻性的要求，使生產(chǎn)的大尺寸GaN-on-Si外延片能夠確保器件在量產(chǎn)過(guò)程中保持較高良率。此外，還需要針對(duì)GaN-on-Si外延片關(guān)鍵參數(shù)的檢測(cè)方法和檢測(cè)規(guī)則制定規(guī)范化標(biāo)準(zhǔn)，以便對(duì)符合標(biāo)準(zhǔn)的外延片進(jìn)行認(rèn)證和標(biāo)識(shí)。?
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開(kāi)拓者程凱博士于2012年3月回國(guó)創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國(guó)際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實(shí)力處于國(guó)際領(lǐng)軍地位。
在公司發(fā)展過(guò)程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過(guò)多項(xiàng)創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導(dǎo)體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重要升級(jí)。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國(guó)內(nèi)外廣泛關(guān)注。經(jīng)過(guò)多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過(guò)與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級(jí)期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國(guó)際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。
晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國(guó)內(nèi)外累計(jì)申請(qǐng)超900項(xiàng)專利，其中已獲得超200項(xiàng)專利授權(quán)。公司還先后榮獲國(guó)家級(jí)專精特新小巨人企業(yè)、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省企業(yè)工程技術(shù)研究中心、江蘇省潛在獨(dú)角獸企業(yè)、江蘇省瞪羚企業(yè)、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、蘇州市優(yōu)秀專利獎(jiǎng)等一系列資質(zhì)和榮譽(yù)。
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司將一直秉承著“成為世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價(jià)值。?