得益于高功率、高頻率和高溫環境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術在具有廣闊的發展前景。技術發展具有持續的創新和應用
半導體產業網獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡稱致能科技）完成首個1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺。在滿足1200V系
半導體產業網 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用
隨著5G、碳中和、AI時代的來臨，芯片市場需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導體市場
以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前
以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前
以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料正迎來廣闊的發展前景，成為全球的機會和關注焦點。碳化硅作為第三代半導體產業發展
新科技時代背景下，人工智能、能源環保、自動駕駛等需求驅動下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料迎來廣闊的發展前景
以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續發展的重要支撐力量，其在光電子，射頻
硅基氮化鎵橫向功率器件因其低比導通電阻、高電流密度、高擊穿電壓和高開關速度等特性，已成為下一代高密度電力系統的主流器件之
科學技術部黨組成員、副部長相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網等領域有巨大的市場。科技部一直高度重視第三代半導體的技術創新和產業發展，從“十五”期間開始給予了長期持續支持，建立了從材料、器件到應用的第三代半導體全產業鏈創新能力。下一步還將與各地方溝通協作，加強統籌謀劃和技術布局，加強人才培養，加強國際合作，推動產業鏈各環節有機銜接，強化以企業為主體、產學研用協同的創新生態。
氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料廣泛用于信息化社會、人工智能、萬物互聯、現代農業、現代醫療、智能交通、國防
與第一代半導體（如硅、鍺）和第二代半導體（如砷化鎵、銻化銦）材料相比，以氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）、硫化鎘（CdS）、碳
隨著新能源汽車的普及及5G的商用，量產新能源車型中搭載碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化鎵，催生了碳化硅產業鏈從
智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術進步給電動車電驅電控系統和電源系統帶來的新的技術進展。
以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的
氮化鎵(GaN)是一種很有前途的硅替代半導體，廣泛應用于光電子和電子技術。然而，GaN表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發展的關鍵限制
核心提示：由深圳智芯微電子科技有限公司牽頭制定，遵循CASAS（第三代半導體產業技術戰略聯盟）標準制定流程，經過標準起草小組會議討論
香港特區政府12月22日發表《創新科技發展藍圖》，提出推動新型工業化，具體列舉了半導體芯片及新能源汽車產業。香港創新科技
據外媒報道，工程研究人員發明了新型高功率電子設備，比以前的技術更節能。這種裝置通過一種以受控方式摻雜氮化鎵（GaN）的獨特