氮化鎵射頻器件具有高功率、高效率、高可靠性等特點。已經(jīng)證明在雷達、衛(wèi)星、通信基站等領域具有非常大的優(yōu)勢，隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用的發(fā)展，氮化鎵射頻器件市場需求不斷增長，前景廣闊。

2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。目前，作為IFWS的重要技術分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐！

氮化鎵射頻電子器件與應用分會得到了深圳市匯芯通信技術有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心的協(xié)辦支持。組委會特邀請中國電子科技集團第五十八所所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司總裁張乃千、江南大學教授/寧波錸微半導體總經(jīng)理敖金平共同主持分會。

屆時，將有香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍，深圳市匯芯通信技術有限公司 /國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心研究員張?zhí)斐剑袊茖W技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁裴軼，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院副教授李楊，中國科學院微電子研究所張國祥等多位科研院校知名專家及實力派企業(yè)代表共同參與，將圍繞氮化鎵射頻電子器件與應用發(fā)展分享主題報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術的前沿發(fā)展趨勢及最新動向，敬請關注！