国产成人午夜影院_色网免费_国产精品自在在线午夜免费_激情久久久久久久_麻豆av传媒蜜桃天美传媒_天啦噜国产精品亚洲精品

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，萬國半導(dǎo)體國際有限合伙公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利，公開號(hào) CN

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為檢測(cè)晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置的專利，公開號(hào) C

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江睿熙科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利，公開號(hào) CN 119134035 A，申請(qǐng)日

關(guān)于印發(fā)《標(biāo)準(zhǔn)提升引領(lǐng)原材料工業(yè)優(yōu)化升級(jí)行動(dòng)方案（2025—2027年）》的通知

格力電器董事長(zhǎng)董明珠在《珍知酌見》 欄目里與新浪財(cái)經(jīng)CEO鄧慶旭對(duì)話時(shí)透露，格力電器在芯片研發(fā)領(lǐng)域取得重大突破。

科技部黨組書記、部長(zhǎng)陰和俊主持召開黨組會(huì)，傳達(dá)學(xué)習(xí)中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議精神，研究部署貫徹落實(shí)工作。

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局依法對(duì)英偉達(dá)開展立案調(diào)查。

株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司發(fā)生工商變更，新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、納光電子前沿科學(xué)中心王新強(qiáng)教授與北京大學(xué)電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室王濤高級(jí)工程師探測(cè)到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報(bào)告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。

半導(dǎo)體行業(yè)作為高新技術(shù)的代表，得到了國家政策的大力支持和各地政府的積極投資。

商務(wù)部印發(fā)《支持蘇州工業(yè)園區(qū)深化開放創(chuàng)新綜合試驗(yàn)的若干措施》。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會(huì)上，香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級(jí)硬件研發(fā)工程師孫躍，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，九峰山實(shí)驗(yàn)室熊鑫，江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤，中國科學(xué)院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報(bào)告

匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心誠邀產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨 B27號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新

匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心誠邀產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨 B27號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，聯(lián)華電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法的專利，公開號(hào)CN 118900619 A，申請(qǐng)日期為

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。“國創(chuàng)中心（蘇州）”誠摯邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B08-B09號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，南京南瑞半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種溝槽型SiC器件及其制備方法的專利，公開號(hào)CN 118888594 A，申