國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際有限合伙公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào) CN 119153460 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 5 月。

專(zhuān)利摘要顯示，一種用于功率晶體管的保護(hù)結(jié)構(gòu)包括形成在溝槽多晶硅層中的一對(duì)或多對(duì)背對(duì)背 pn 結(jié)二極管，所述溝槽多晶硅層設(shè)置在形成于半導(dǎo)體襯底中的溝槽中。溝槽多晶硅層的至少一部分在半導(dǎo)體襯底的頂表面上方突出。交替的 N 型摻雜區(qū)和 P 型摻雜區(qū)沿著溝槽的長(zhǎng)度形成在溝槽多晶硅層中。當(dāng)跨功率晶體管的柵極端子和源極端子耦合時(shí)，可以有利地應(yīng)用保護(hù)結(jié)構(gòu)來(lái)保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件的影響。