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中科飛測(cè)擬投資14.81億元用于高端半導(dǎo)體項(xiàng)目

錼創(chuàng)科技啟動(dòng)上市以來的首次募資計(jì)劃

賽微電子（SZ 300456）12月6日午間發(fā)布公告，為避免相關(guān)信息對(duì)廣大投資者造成誤導(dǎo)，現(xiàn)予以澄清說明。

“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會(huì)上，專家們齊聚，共同探討碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)的發(fā)展。

俄羅斯晶圓廠Angstrom-T在近期已經(jīng)宣布破產(chǎn)。

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會(huì)展中心再次啟航，現(xiàn)誠摯邀請(qǐng)全球化合物半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的專家學(xué)者、行業(yè)領(lǐng)航者及創(chuàng)新先鋒蒞臨盛會(huì)，發(fā)表精彩演講，共享智慧火花，攜手點(diǎn)亮化合物半導(dǎo)體行業(yè)的輝煌未來。

從2022年初至今，培育鉆石毛坯價(jià)格累計(jì)跌幅高達(dá)85%。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會(huì)上，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報(bào)告，討論超寬帶隙半導(dǎo)體的研究狀況和主要問題，分享了實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。

在來自全球的4000家企業(yè)已注冊(cè)參展的檔口，出了“幺蛾子”，大量中國企業(yè)人員簽證申請(qǐng)被拒

清華大學(xué)羅毅院士課題組與安徽格恩半導(dǎo)體有限公司合作，通過深入研究GaN同質(zhì)外延過程中的位錯(cuò)控制、InGan/GaN多量子阱的應(yīng)力調(diào)控以及腔面鍍膜技術(shù)，制備了高效的GaN藍(lán)光激光二極管。

邦德激光全球總部基地智能工廠正式啟用

“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)相關(guān)的最新進(jìn)展。

維信諾（Visionox）可能會(huì)在明年上半年某個(gè)時(shí)候訂購其第8代OLED廠使用的設(shè)備。

12月2日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱：賽微電子）在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，受外部客觀因素影響，擬在合肥高新區(qū)投資建設(shè)12吋M

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、納光電子前沿科學(xué)中心王新強(qiáng)教授與北京大學(xué)電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室王濤高級(jí)工程師探測(cè)到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。

南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授、納米科學(xué)與應(yīng)用研究院執(zhí)行院長孫小衛(wèi)因其在光電材料和器件領(lǐng)域的貢獻(xiàn)當(dāng)選為IEEE Fellow。

期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會(huì)上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備”的主題報(bào)告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設(shè)計(jì)優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結(jié)果等內(nèi)容。

荷蘭半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦 NXP 與臺(tái)灣地區(qū)特殊制程代工廠商世界先進(jìn) VIS 雙方合資（股權(quán)比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動(dòng)土典禮。

何梁何利基金2024年度科學(xué)與技術(shù)獎(jiǎng)評(píng)選結(jié)果揭曉。

本研究提出了一種能夠減輕高功率激光加工中熱漂移問題的 4H-SiC 超透鏡。