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氮化鎵（GaN）正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)游戲規(guī)則。近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室已從材料、器件到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用取得一系列突破性成果。九峰山實(shí)驗(yàn)室8英

新凱來宣布，已完成13類關(guān)鍵量檢測產(chǎn)品開發(fā)，并在國內(nèi)邏輯、存儲和化合物的主要半導(dǎo)體制造企業(yè)開始量產(chǎn)應(yīng)用。

據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道稱，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二在聯(lián)邦公報(bào)上刊發(fā)兩份文件，將50余個(gè)中國科技企業(yè)和機(jī)構(gòu)納入所謂的實(shí)

全球首發(fā)！天岳先進(jìn)攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品震撼登場SEMICON China 2025

日盲紫外探測器（200-280nm）作為國防安全與環(huán)境監(jiān)測的火眼金睛，在森林火災(zāi)預(yù)警、深空探測等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。然而，

高溫超導(dǎo)硅單晶設(shè)備及晶體生產(chǎn)項(xiàng)目在銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)開工。

3月20日，上海御微半導(dǎo)體有限公司金橋研發(fā)制造基地舉行啟動儀式。

3月24日上午，晶潤半導(dǎo)體芯片封測自動化系統(tǒng)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)儀式在南康區(qū)低空經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園順利舉行。江西潤晶半導(dǎo)體科技有限公司是一

3月24日，陽新產(chǎn)融投資集團(tuán)有限公司與江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目簽約儀式在江蘇省如皋市舉行，總投資3億元的卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體項(xiàng)目正式

“賀在中國，質(zhì)煥芯生”——賀利氏石英沈陽新工廠竣工投產(chǎn)儀式舉行。

由智新半導(dǎo)體有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 041202X《基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法》已完成征求意見稿的編制，

近日，蘇州國順激光技術(shù)有限公司（以下簡稱：國順激光 ）宣布完成約5000萬元的A輪融資。本輪融資由金沙江聯(lián)合資本領(lǐng)投，蘇州天使

2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)將在武漢光谷科技會展中心盛大啟幕。

2025年3月25日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體)繼發(fā)布全球首顆8英寸氧化鎵單晶之后，又一次取得突破性進(jìn)展，基于自

2025年3月20日，上海御微半導(dǎo)體有限公司金橋研發(fā)制造基地舉行啟動儀式。御微半導(dǎo)體官方消息顯示，在過去的六年里，產(chǎn)品訂單屢創(chuàng)

2025年3月20日，CSA聯(lián)盟秘書長阮軍一行赴廣州開展調(diào)研工作，先后到訪晶科電子、南砂晶圓、鴻利智匯等企業(yè)，與企業(yè)相關(guān)負(fù)責(zé)人開展交流，深入了解企業(yè)現(xiàn)狀，聆聽企業(yè)想法，聽取建議，共謀產(chǎn)業(yè)新發(fā)展。

為做好半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)服務(wù)，培育科技創(chuàng)新領(lǐng)軍企業(yè)，2025年3月19日，CSA聯(lián)盟阮軍秘書長一行赴中山開展調(diào)研交流，先后到訪中山市半導(dǎo)體照明行業(yè)協(xié)會、聯(lián)盟常務(wù)理事單位木林森股份有限公司，分別與中山半導(dǎo)體照明行業(yè)協(xié)會會長陳少藩、秘書長涂巧玲，木林森執(zhí)行總經(jīng)理唐國慶、市場總監(jiān)孫少鋒等同志開展交流討論，重點(diǎn)圍繞產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、問題及培育新興市場等深入交換意見。

中國科學(xué)院研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外（DUV）激光，能發(fā)射 193 納米的相干光（Coherent Light），該波長目前被用于半導(dǎo)體曝光技術(shù)。

3月20日，吉佳藍(lán)中國總部啟用活動在無錫高新區(qū)新港集成電路裝備零部件產(chǎn)業(yè)園舉行。吉佳藍(lán)是韓國科斯達(dá)克上市企業(yè)，專注于半導(dǎo)體

近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前