9月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術(shù)，是鎵仁半導體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。

據(jù)介紹，鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專用晶體生長設備滿足氧化鎵生長所需的高溫和高氧環(huán)境。設備采用非銥（Ir）坩堝材料，可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團隊自主設計了獨特的復合測溫技術(shù)和控溫算法，確保晶體生長過程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。該設備實現(xiàn)了全自動化晶體生長流程，減少了人工干預，顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過該設備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形，通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，以適應不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。