據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，海信家電集團(tuán)股份有限公司申請一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體裝置“，公開號CN117650166A，申請日期為2023年10月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體裝置包括：第一導(dǎo)電類型的漂移層；溝槽部，多個(gè)溝槽部在第二方向上間隔設(shè)置且形成柵極溝槽組和假柵溝槽組，柵極溝槽組和假柵溝槽組在第二方向上交替設(shè)置；第一導(dǎo)電類型的場截止層；第二導(dǎo)電類型的集電極層，集電極層設(shè)置于場截止層的下表面，集電極層內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類型的第一發(fā)射極層，第一發(fā)射極層與假柵溝槽組上下對應(yīng)。由此，通過使第一發(fā)射極層與假柵溝槽組上下對應(yīng)，這樣可以充分利用假柵區(qū)域，無需單獨(dú)設(shè)置第二半導(dǎo)體器件類型區(qū)域，使假柵區(qū)域也可以作為第二半導(dǎo)體器件類型區(qū)域使用，減小半導(dǎo)體裝置的面積，提高半導(dǎo)體裝置的工作性能，降低半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)成本。