中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡稱寧波材料所）張文瑞研究員、郭煒研究員長期招聘博士后，招聘方向?yàn)檠趸铩⒌锏葘捊麕О雽?dǎo)體材料與器件研究。
一、研究領(lǐng)域
1. 寬禁帶半導(dǎo)體外延與先進(jìn)工藝研發(fā)
2. 半導(dǎo)體缺陷理論與表征技術(shù)、模擬與仿真分析
3. 鎵系寬禁帶功率電子器件設(shè)計(jì)與工藝
4. 高頻高功率先進(jìn)封裝技術(shù)與可靠性測試
5. 紫外光電器件設(shè)計(jì)與系統(tǒng)集成應(yīng)用
二、任職要求
1. 即將獲得/已獲得電子科學(xué)與工程、材料物理與化學(xué)、半導(dǎo)體物理等專業(yè)博士學(xué)位；
2. 有濃厚的科研興趣和自我驅(qū)動(dòng)力，良好的學(xué)術(shù)基礎(chǔ)和英語讀寫能力；
3. 具備良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和溝通協(xié)調(diào)能力；
4. 有薄膜外延、器件制備和工藝開發(fā)相關(guān)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
三、博士后崗位設(shè)置、待遇及后續(xù)發(fā)展
四、博士后專項(xiàng)申報(bào)條件及有關(guān)支持標(biāo)準(zhǔn)
五、合作導(dǎo)師介紹
張文瑞，寧波材料所研究員，國家高層次青年人才。博士畢業(yè)于美國德州農(nóng)工大學(xué)，先后在美國布魯克海文和橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室從事博士后研究工作。長期從事氧化物半導(dǎo)體薄膜外延與微電子器件的設(shè)計(jì)研發(fā)，近年來著力提升氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體薄膜的外延技術(shù)和載流子輸運(yùn)調(diào)控能力，實(shí)現(xiàn)了氧化鎵薄膜的晶相調(diào)控、高效摻雜和高性能整流結(jié)設(shè)計(jì)，用于研發(fā)新一代功率電子器件與深紫外光電器件。已承擔(dān)國家高層次青年人才項(xiàng)目，國家自然科學(xué)基金、浙江省自然科學(xué)基金和寧波市科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)等項(xiàng)目，在Adv. Funct. Mater., ACS Nano, ACS Energy Lett., IEEE Electron Device Lett.和Appl. Phys. Lett.等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文100余篇，論文被引4000余次，H指數(shù)34，申請/授權(quán)發(fā)明專利10余項(xiàng)。
郭煒，寧波材料所研究員，博士生導(dǎo)師。本科畢業(yè)于上海交通大學(xué)，博士畢業(yè)于美國北卡羅來納州立大學(xué)，曾擔(dān)任全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料有限公司研發(fā)工程師，2016年加入中科院寧波材料所，先后任“特聘青年研究員”、副研究員、研究員。長期從事氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究。主持了國家自然科學(xué)基金區(qū)創(chuàng)聯(lián)合基金、面上、青年基金、科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、中科院科研儀器設(shè)備研制項(xiàng)目、浙江省杰青、寧波市重大專項(xiàng)等課題。在領(lǐng)域權(quán)威期刊上發(fā)表論文80余篇，引用2000余次、h因子24。近年來在AlN、AlGaN極性調(diào)控和紫外LED限閾特性研究、紫外輔助MOCVD設(shè)備開發(fā)、高耐壓GaN HEMT器件制備等領(lǐng)域取得了一系列領(lǐng)先成果。入選了中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)并擔(dān)任青促會(huì)化材分會(huì)理事會(huì)委員，獲得了浙江省“錢江人才”、寧波市領(lǐng)軍人才、“3315創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)計(jì)劃”人才等稱號。
（來源：蔻享學(xué)術(shù)）