?近日，江蘇省科學(xué)技術(shù)廳公示2023年度江蘇省創(chuàng)新聯(lián)合體擬建設(shè)試點(diǎn)名單，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）牽頭7家高等院校、科研院所和龍頭企業(yè)共同組建的江蘇省碳化硅電力電子技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)合體成功入選，成為本年度全省5家創(chuàng)新聯(lián)合體擬建設(shè)試點(diǎn)之一，且為全市唯一入選。

江蘇省創(chuàng)新聯(lián)合體是落實(shí)《打造具有全球影響力的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新中心行動(dòng)方案》部署要求，瞄準(zhǔn)世界科技前沿、國家重大戰(zhàn)略和江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展需求，為推進(jìn)創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈深度融合，加快突破制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大前沿（關(guān)鍵）技術(shù)，提升江蘇省企業(yè)和產(chǎn)業(yè)核心競爭力而組建。對經(jīng)備案的創(chuàng)新聯(lián)合體，省、市將在科技項(xiàng)目攻關(guān)、經(jīng)費(fèi)支持、平臺建設(shè)等方面給予優(yōu)先支持。

該聯(lián)合體針對新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等重大領(lǐng)域需求，開展基于第三代半導(dǎo)體碳化硅的電力電子器件創(chuàng)新技術(shù)攻關(guān)，旨在解決高性能高可靠性碳化硅 MOSFET產(chǎn)品技術(shù)難點(diǎn)，建立國際先進(jìn)水平的具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅 MOSFET和碳化硅 IGBT器件技術(shù)，夯實(shí)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全。

下一步，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）將以此次聯(lián)合體組建為契機(jī)，持續(xù)加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，建立成果孵化高地、人才培養(yǎng)基地和原創(chuàng)技術(shù)策源地，支撐高水平科技自立自強(qiáng)。

來源：國創(chuàng)中心