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芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇:第三代半導(dǎo)體進(jìn)入“戰(zhàn)國時(shí)代”

發(fā)表于:2023-12-27 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

 日前,上交所舉辦“硬科硬客”科創(chuàng)板新質(zhì)生產(chǎn)力行業(yè)沙龍,芯聯(lián)集成、華潤(rùn)微、天岳先進(jìn)等3家第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè),就第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程與發(fā)展趨勢(shì),探討“換道超車”的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇指出,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在從“春秋時(shí)代”進(jìn)入“戰(zhàn)國時(shí)代”,競(jìng)爭(zhēng)一定會(huì)激烈,這也是產(chǎn)業(yè)成熟化的必由之路;市場(chǎng)博弈的焦點(diǎn)會(huì)是技術(shù)領(lǐng)先性、技術(shù)創(chuàng)新能力、規(guī)模大小、性價(jià)比。

第三代半導(dǎo)體被稱為“未來電子產(chǎn)業(yè)基石”,指的是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料,第三代半導(dǎo)體材料具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

當(dāng)前全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)整體處于起步階段,并正在加速發(fā)展。與會(huì)嘉賓紛紛表示,我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了全產(chǎn)業(yè)鏈布局,各環(huán)節(jié)均涌現(xiàn)出具有國際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè);而且相比硅基半導(dǎo)體而言,在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域和國際上處于同一起跑線,更有望提升自主可控水平。

芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇表示,國內(nèi)企業(yè)碳化硅二極管、氮化鎵器件也都已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化,車載主驅(qū)逆變器的碳化硅MOSFET器件和模塊也從2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),未來第三代半導(dǎo)體自主可控程度將快速提升。

芯聯(lián)集成從2021年起開始投入碳化硅MOSFET芯片、模組封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè),并在兩年時(shí)間里完成了三輪技術(shù)迭代,碳化硅MOSFET的器件性能已經(jīng)與國際先進(jìn)水平同步,實(shí)現(xiàn)了6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大批量生產(chǎn)。

芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇介紹, 2024年公司還將建成國內(nèi)首條8英寸碳化硅MOSFET產(chǎn)線,碳化硅業(yè)務(wù)對(duì)公司營業(yè)收入的貢獻(xiàn)將持續(xù)快速提升。

“綜合考慮碳化硅器件對(duì)整個(gè)系統(tǒng)性能提升的優(yōu)勢(shì),襯底、外延、器件生產(chǎn)的良率不斷提升是需要整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈通力合作的一個(gè)重要降成本方向。”趙奇表示。

為進(jìn)一步整合上下游資源,提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,芯聯(lián)集成正在加緊產(chǎn)業(yè)布局,2023年下半年分拆碳化硅業(yè)務(wù),聯(lián)合博世、小鵬、立訊精密、上汽、寧德時(shí)代、陽光電源等新能源、汽車及半導(dǎo)體相關(guān)上下游企業(yè),成立了專注于碳化硅業(yè)務(wù)的芯聯(lián)動(dòng)力科技(紹興)有限公司,定位于車規(guī)級(jí)碳化硅芯片制造及模塊封裝的一站式系統(tǒng)解決方案提供者。

對(duì)于未來市場(chǎng)需求和增長(zhǎng)空間,與會(huì)嘉賓均認(rèn)為第三代半導(dǎo)體屬于藍(lán)海市場(chǎng)。根據(jù)yole數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2028年全球碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將高達(dá)89.06億美元,氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)47億美元。

芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇提到:“調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)估接下來幾年全球第三代半導(dǎo)體年復(fù)合增長(zhǎng)率在30-40%。對(duì)于中國企業(yè)而言,由于國內(nèi)企業(yè)在新能源汽車、光伏等主要終端應(yīng)用市場(chǎng)占據(jù)了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)高于全球平均的增長(zhǎng)曲線。”

趙奇表示,未來碳化硅器件四個(gè)主要的應(yīng)用場(chǎng)景,分別是新能源車的主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)、光伏/風(fēng)力電站和儲(chǔ)能的逆變器、大于萬伏的超高壓輸配電。“其中,電動(dòng)車800V超充技術(shù)升級(jí)后,2024年會(huì)是碳化硅器件大量使用到車載主驅(qū)逆變器的一年。”

在談及未來產(chǎn)業(yè)格局和市場(chǎng)博弈焦點(diǎn)時(shí),趙奇表示,“國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在從‘春秋時(shí)代’進(jìn)入‘戰(zhàn)國時(shí)代’,競(jìng)爭(zhēng)一定會(huì)激烈,這也是產(chǎn)業(yè)成熟化的必由之路。市場(chǎng)博弈的焦點(diǎn)會(huì)是技術(shù)領(lǐng)先性、技術(shù)創(chuàng)新能力、規(guī)模大小、性價(jià)比。”

天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)宗艷民指出,從碳化硅襯底來看,實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)存在較高的技術(shù)門檻,雖然據(jù)報(bào)道有多家公司投資碳化硅襯底生產(chǎn),但是從客戶端看,能夠規(guī)?;?、批量供應(yīng)高品質(zhì)襯底的廠家供貨能力依然不足。

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