半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，氧化鎵（Ga₂O₃）是潛力新星超寬帶隙材料，Ga₂O₃是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也是高靈敏、高響應(yīng)日盲紫外探測(cè)器的優(yōu)選材料。

近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。期間“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)技術(shù)“分會(huì)上，廈門大學(xué)徐翔宇帶來(lái)了“氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)”的主題報(bào)告，分享了高性能Ga₂O₃光電探測(cè)器的性能調(diào)控研究，Al/In合金化薄膜的光電調(diào)控和電子結(jié)構(gòu)研究、垂直肖特基單晶Ga₂O₃光電探測(cè)器的研究進(jìn)展。

報(bào)告指出，高性能Ga₂O₃光電探測(cè)器，運(yùn)用電子封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)與物聯(lián)網(wǎng)模塊的可視集成化，完成氧化鎵光電探測(cè)器對(duì)電弧信號(hào)、日盲LED等光源的遠(yuǎn)距離實(shí)時(shí)監(jiān)控！為未來(lái)工業(yè)智能化管理提供解決方案。垂直肖特基單晶Ga₂O₃光電探測(cè)器方面，MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器響應(yīng)度高，但短板在于響應(yīng)速度較慢。提升器件響應(yīng)速度策略：構(gòu)建內(nèi)建電場(chǎng)，高效分離，加速漂移。高質(zhì)量單晶保證載流子遷移率，極低的表面粗糙度確保盡可能低的表面缺陷態(tài)；通過(guò)大功函金屬構(gòu)建肖特基接觸，建立內(nèi)建電場(chǎng)；選用超薄、半透明金屬層保證有效光照面積和最大化利用耗盡層進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換；

研究通過(guò)對(duì)外延薄膜后退火處理，獲得高響應(yīng)度、高探測(cè)率的日盲紫外光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)對(duì)實(shí)際日盲信號(hào)的靈敏響應(yīng)。解釋了器件性能的大幅改善，是受到了由退火引起的缺陷以及表面狀態(tài)變化的共同影響。通過(guò)對(duì)Ga₂O₃進(jìn)行Al/In合金化，實(shí)現(xiàn)了大范圍的帶隙調(diào)控，制備出了能夠響應(yīng)全日盲波段的紫外光電探測(cè)器，并解釋了合金組分的引入對(duì)能帶結(jié)構(gòu)的影響。依靠高質(zhì)量單晶制備了半透明Pt/Ga2O3垂直結(jié)構(gòu)肖特基光電二極管，該器件具有良好光電特性，通過(guò)調(diào)節(jié)界面耗盡層結(jié)區(qū)深度，成功實(shí)現(xiàn)無(wú)持續(xù)光電導(dǎo)的響應(yīng)速度。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>