?2023年11月27-30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心盛大開(kāi)幕。本屆論壇為期4天，由廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門(mén)市工業(yè)和信息化局、廈門(mén)市科學(xué)技術(shù)局、廈門(mén)火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門(mén))科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
27日，“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù)分會(huì)”如期召開(kāi)，本屆分會(huì)由三安光電股份有限公司、納微朗科技（深圳）有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、佛山市國(guó)星光電股份有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、深圳市大族半導(dǎo)體裝備科技有限公司的協(xié)辦支持。
分會(huì)上，廈門(mén)大學(xué)微電子學(xué)院副教授吳挺竹帶來(lái)了“基于GAN的元技術(shù)和EV的技術(shù)的最新進(jìn)展”的主題報(bào)告。由于多功能性和可調(diào)諧性，微發(fā)光二極管（μLED）被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)的組成部分，能夠滿(mǎn)足復(fù)雜設(shè)備的需求。其在低電流密度（≤100A/cm2）下的發(fā)光效率和波長(zhǎng)穩(wěn)定性將決定全色微型顯示器的性能，而半極性微型LED與側(cè)壁鈍化技術(shù)的結(jié)合可以提高發(fā)光效率和顏色穩(wěn)定性。顏色轉(zhuǎn)換技術(shù)是實(shí)現(xiàn)全色顯示的典型方法，應(yīng)用噴墨打印技術(shù)、量子點(diǎn)光刻膠技術(shù)和無(wú)機(jī)薄膜顏色轉(zhuǎn)換等方案來(lái)實(shí)現(xiàn)微型LED全色顯示。
此外，還可以通過(guò)使用RC LED的改進(jìn)的散射角來(lái)增加像素密度。除了用于全彩顯示器外，高效、高帶寬的InGaN紅色微型LED在可見(jiàn)光通信中也具有良好的應(yīng)用前景，實(shí)現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)傳輸。我們提出了一種通過(guò)結(jié)合超晶格結(jié)構(gòu)、原子層沉積鈍化和分布式布拉格反射器制造的高效InGaN紅色微LED，其表現(xiàn)出5.02%的最大外量子效率和對(duì)應(yīng)于112A/cm2的注入電流密度的低效率下降。InGaN中的快速載流子動(dòng)力學(xué)通過(guò)使用時(shí)間分辨光致發(fā)光來(lái)表征，該光致發(fā)光與25μm大小的微型LED陣列在2000 a/cm2的高注入電流密度下以350 Mbit/s的數(shù)據(jù)傳輸速率實(shí)現(xiàn)的271MHz的高調(diào)制帶寬相關(guān)。它在全色微型顯示器以及基于單片InGaN微型LED技術(shù)的高速可見(jiàn)光通信應(yīng)用方面具有巨大的前景。
（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）