近日，2023中國（寧波）第四屆第三代半導體產業發展論壇在寧波國際會議中心舉行。寧波電子行業協會會長李凌，寧波市經信局黨組成員、副局長王川出席并致辭。

本次論壇通過深入研討半導體技術應用發展趨勢，旨在聚焦新能源汽車與消費電子前沿技術及創新應用，進一步探索構建寧波市第三代半導體產業創新生態。

據了解，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料具備高頻、高效、耐高壓、抗輻射能力強等優越性能，是支撐半導體照明、新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道交通、能源互聯網等產業自主發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件。

寧波市經信局副局長王川表示，寧波市高度重視第三代半導體材料產業的培育發展，經過多年的努力，已初步形成了涵蓋半導體基礎材料、集成電路設計、制造、封測、應用的全產業鏈條，構建了以芯港小鎮、集成電路創新產業園等為支撐的“一區四鏈”產業發展格局。

論壇報告環節，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長馮亞東分享了《國際半導體政策研究》報告，寧波市經信局處長兼市數字經濟局副局長蘇志杰介紹了《寧波半導體產業發展現狀與政策》，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長、光榮資產管理(北京)有限公司合伙人耿博帶來了《第三代半導體產業發展及投資狀況分析》報告，甬江實驗室研究員鐘飛介紹了《協同創新平臺模式探討與實踐》，復旦大學寧波研究院教授張清純分享了《國產SiC器件國產化現狀及發展趨勢》，上海蔚來汽車研發總監李道會介紹了《第三代半導體助推電動汽車進程》，中電化合物半導體有限公司董事潘堯波分享了《SiC 材料的進展和挑戰》，上海特易信息科技有限公司副總經理王燕飛分享了《半導體照明產業國際貿易趨勢解讀》報告。

近年來我國半導體產業取得了快速發展，在半導體組裝、封裝和測試領域處于領先地位，我國但在半導體芯片設計、設備方面還存在短板。美國已經將我國作為主要競爭對手，各國密集的政策出臺勢必將對全球半導體產業生態、我國半導體產業發展產生重要影響。馮亞東副秘書長在報告中表示，要聚焦國家戰略，重大項目牽引，形成發展合力。以應用促發展，培育龍頭，加快迭代研發，推動產業集群。建立協同創新的產業體系和生態。推進新形勢下精準深入的國際科技合作。

耿博副秘書長指出，“十四五”是我國第三代半導體產業發展的關鍵窗口期，近期補短板，長期建立競爭優勢，窗口期3-5年，需要形成合力。發展模式上，一是要保障人才、平臺、機構可持續發展的能力建設，二是通過示范應用加速工程化技術迭代提升，推動形成規模化生產能力。需求牽引，協同創新形成本土閉環產業鏈，產業鏈核心環節形成自主保障能力，推動完善上中下游互融共生、分工合作的市場化機制。著眼長遠、把握大勢，聯盟將充分發揮橋梁作用，為政產學研合作搭建平臺，打通產業鏈上下游、促進協同創新。

其中，張清純教授表示：“自推出國內首款量產的‘15V驅動SiCMOSFET系列產品’，成功填補國內空白，并服務多家光伏與儲能行業頭部企業后，今年我們將正式上量。”目前下一代碳化硅芯片已在多家車企驗證，未來將在電動車主驅芯片持續發力，率先實現主驅碳化硅芯片的國產替代。

潘堯波透露，目前國內碳化硅材料質量達到國際先進水平，能支撐碳化硅器件對材料質量的要求。SiC材料降本放量成為當前核心，SiC技術不斷發展，一些關鍵技術問題需要基礎課題研究，需要產學研大力合作。2025年SiC材料將進入8吋時代，將會形成新的競爭格局。