碳化硅作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車等一些重要領(lǐng)域也展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。
近日，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。本屆論壇是在國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、 國(guó)家節(jié)能中心、國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)、江蘇省科學(xué)技術(shù)廳、蘇州市科學(xué)技術(shù)局、蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會(huì)的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。
期間，“碳化硅功率電子器件技術(shù)論壇“如期召開。該論壇由該分會(huì)由勵(lì)德愛(ài)思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、南京芯干線科技有限公司、蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、深圳市先進(jìn)連接科技有限公司、江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院協(xié)辦支持。
奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長(zhǎng)、教授Tibor GRASSER，國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司教授級(jí)高工楊霏，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮，浙江大學(xué)特聘副研究員任娜，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理謝秋實(shí)，復(fù)旦大學(xué)副研究員雷光寅，東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超，西安電子科技大學(xué)副教授孫樂(lè)嘉，南京芯干線科技有限公司董事長(zhǎng)兼CTO傅玥，賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所劉奧，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員張召富等來(lái)自國(guó)內(nèi)外的知名專家、學(xué)者和企業(yè)代表共同參與，圍繞碳化硅功率電子器件前沿技術(shù)分享主題報(bào)告。
江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超做了題為“第三代半導(dǎo)體封裝用高性能陶瓷基板及金屬化技術(shù)”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，AlN陶瓷基板的熱導(dǎo)率提升有利于助推其更廣闊的應(yīng)用前景；超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的低成本制造技術(shù)突破關(guān)乎AlN陶瓷基板材料能否進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)鍵因素；高性能AlN陶瓷基板與DPC金屬化技術(shù)的充分結(jié)合，將會(huì)更好的滿足未來(lái)高密度封裝的發(fā)展需求。
西安電子科技大學(xué)副教授孫樂(lè)嘉做了題為”SiC基等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究“的主題報(bào)告，結(jié)合脈沖功率技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì)，分享了斷開型 4H-SiC DSRD 器件和閉合型 4H-SiC DAS 器件研究進(jìn)展。報(bào)告指出隨著脈沖功率的超寬帶、高頻化、小型化、高效化的發(fā)展需求，SiC等離子體波器件突破了原有Si基器件的物理極限，在高阻斷電壓下，將器件開關(guān)速度穩(wěn)定推至皮秒級(jí)，大幅擴(kuò)展了脈沖功率技術(shù)覆蓋的功率范圍與時(shí)間尺度，在未來(lái)超寬帶脈沖通訊與雷達(dá)、生物醫(yī)療及電子對(duì)抗等領(lǐng)域具有極廣闊的應(yīng)用前景；材料特性與終端結(jié)構(gòu)對(duì)SiC等離子體波器件的性能影響顯著，如何減少材料缺陷，優(yōu)化體內(nèi)電場(chǎng)分布，提出更優(yōu)秀的終端結(jié)構(gòu)阻止芯片邊緣擊穿仍是重大挑戰(zhàn)。SiC等離子體波器件的皮秒級(jí)開關(guān)特性對(duì)電路寄生參數(shù)、離子注入與抽取控制精度更為敏感，對(duì)器件參數(shù)和電路參數(shù)的匹配提出更高要求，后續(xù)工作需要通過(guò)數(shù)值、解析模型建立器件的Spice模型，提高電路仿真與設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性。
賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖做了題為”汽車電源模塊用DtC無(wú)銀Si3N4 AMB基板”的主題報(bào)告， 電源模塊的包裝配置，Si3N4襯底是最適合EV應(yīng)用的SiC封裝解決方案，2025年Si3N4基板市場(chǎng)份額顯著增加，成熟的市場(chǎng)需要經(jīng)濟(jì)高效的解決方案，使用具有不同熱性能的Si3N4板提供“足夠好”的MCS，開發(fā)無(wú)銀釬焊膏降低價(jià)格，通過(guò)提高生產(chǎn)力降低價(jià)格，
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所劉奧做了題為“SiC MOSFET熱阻精確測(cè)量技術(shù)研究”的主題報(bào)告，結(jié)合的數(shù)據(jù)，分享了研究進(jìn)展與成果。報(bào)告指出，在傳統(tǒng)的熱阻測(cè)試方法中，器件的柵極氧化物狀態(tài)是穩(wěn)定的，并且在柵極受到電壓應(yīng)力之后，閾值電壓不會(huì)漂移。人們認(rèn)為，柵極偏置應(yīng)力期間柵極氧化物狀態(tài)的不穩(wěn)定性導(dǎo)致了熱阻測(cè)試過(guò)程中的誤差。體二極管加熱模式是SiC MOSFET熱阻測(cè)量的最佳加熱模式。