2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。

論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）聯合主辦。江蘇第三代半導體研究院、蘇州市第三代半導體產業創新中心、蘇州納米科技發展有限公司、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。論壇還得到了來自國內以及美國、日本、德國、瑞典、英國、意大利、波蘭、澳大利亞、新加坡等國家和地區近70家組織機構、近90家行業代表性實力企業的支持。

期間，“碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術“分論壇如期召開，本屆分論壇由寧波恒普真空科技股份有限公司、勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、德國愛思強股份有限公司、湖北九峰山實驗室、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司、江蘇省第三代半導體研究院協辦支持。

浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院副院長、教授皮孝東，南砂晶圓副總經理，山東大學教授陳秀芳，南京百識電子科技有限公司首席執行官宣融，德國愛思強股份有限公司中國區副總經理方子文，勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司研究員賈維煒，中國科學院物理研究所副研究員李輝，中國電子科技集團公司第四十六研究所首席專家王英民，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長、哈爾濱工業大學教授趙麗麗，廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院副教授尹君，北京工業大學副教授陳沛等精英專家們帶來精彩報告，分享前沿研究成果。

浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院副院長、教授皮孝東分享了4H碳化硅單晶的制備和加工技術進展，報告指出，4H-SiC適用于更高頻、更高功率電子器件，碳化硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT） 仍然處于研發階段。超快激光垂直改質剝離技術，剝離過程中發生裂片成為超快激光切片面臨的關鍵難題。碳化硅很可能成為應用規模僅次于硅的半導體材料，值得加強其基礎研究和技術開發。缺陷和雜質研究對半導體碳化硅的發展至關重要。

伴隨著SiC材料直徑和質量的突破，電力電子器件、光電子等相關器件應運而生，其市場規模逐年增長。南砂晶圓副總經理，山東大學教授陳秀芳帶來了題為“大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備”的主題報告，分享了8英寸單晶材料進展，報告指出，當前8英寸4H-SiC晶體制備難點主要涉及高質量8英寸4H-SiC籽晶制備；大尺寸溫度場不均勻和成核過程控制；大尺寸晶體生長體系下氣相物質組分輸運效率和演變規律；大尺寸熱應力增大導致的晶體開裂和缺陷增殖。

愛思唯爾信息技術（北京）有限公司研究員賈維煒 全球科研信息賦能第三代半導體材料技術創新與發展，報告指出，科研數據助力企業研發，便于洞察行業科研動態及熱點課題，關注“對標”企業科研產出信息，快速準確找到科研和生產中遇到問題的解決方案，追蹤領軍科研人物研發動向，為企業專利發表提供科研數據基礎。

隨著我國“新基建”和“雙碳”戰略的深入實施，作為關鍵環節的電子系統對半導體元器件技術提出了高密度、高速度、大功率、低功耗、低成本的需求。中國電子科技集團公司第四十六研究所，首席專家王英民分享了碳化硅單晶技術進展及挑戰，以及中國電科46所研究進展。碳化硅襯底產品通過外延和核心器件企業，制成的終端產品應用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統。碳化硅器件優勢明顯，EV和光伏產業需求高速增長，碳化硅襯底成本的持續降低是下游終端市場提高滲透的關鍵。

哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長、哈爾濱工業大學教授趙麗麗做了題為“電阻爐八英寸碳化硅制備技術探索”的主題報告，分享了開展大尺寸/低成本/高良率/產業化長晶設備及工藝研究成果，研制出適合 8 英寸碳化硅單晶生長的電阻長晶爐，碳化鉭（TaC）高溫蒸鍍工藝開發，低純度碳化硅（SiC）粉原料燒結提純工藝開發等。

廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院副教授尹君分享了200 mm碳化硅晶體生長仿真，基于氣相導流板調控的傳質過程優化。SiC單晶尺寸增大，坩堝內的溫場均勻性變差，特別是粉料內部，不利于厚晶的生長。坩堝尺寸增大，腔內對流加劇，不利于籽晶生長面均勻的氣相傳質與生長。報告分享了大尺寸電阻PVT模型構建與熱場仿真，大尺寸SiC單晶PVT生長傳質過程優化，單晶生長演化特性分析及質量評價等。

北京工業大學副教授陳沛分享了超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究進展與成果，研究采用飛秒激光系統對SiC表面進行預處理以產生周期性微觀結構（LIPPS），改性表面的力學財產顯著減弱，iC在表面沉積成Si、SiO2和C。在刮擦過程中，改性表面的材料去除深度提高，切削力也降低。與LSFL相比，HSFL可以產生更寬的切削槽和更好的表面粗糙度。報告指出，未來研究需要控制激光影響的深度，以滿足減薄目標。滯后區域修改需要快速和統一。激光改性可以應用于SiC的隱形切割。

德國愛思強股份有限公司中國區副總經理方子文分享了碳化硅及其他化合物半導體外延大規模量產方案，報告指出GaN和SiC的市場增長是現實，正在改變著功率半導體市場。高吞吐量和低擁有成本滿足了所有傳統和新的生產增長要求。AIXTRON 的GaN 300mm平臺即將發布，以滿足早期300mm Epi需求，并且供應鏈已做好充分準備，以滿足未來幾年的市場需求。