據外媒報道，工程研究人員發明了新型高功率電子設備，比以前的技術更節能。這種裝置通過一種以受控方式“摻雜”氮化鎵（GaN）的獨特技術而實現。

 

北卡羅來納州立大學（North Carolina State University）的前博士生Dolar Khachariya表示：“許多技術都需要進行電能轉換，將電能從一種形式轉換為另一種形式。例如，這項技術可能需要將交流電轉換為直流電，或者將電能轉換為功，就像電動機一樣。在各類電力轉換系統中，大部分電力損失發生在電源開關上，這是構成電力轉換系統電路的有源部件。

 

“開發更高效的電力電子產品，比如電源開關，可以減少轉換過程中的電力損耗。對于開發支持更可持續電力基礎設施的技術，比如智能電網，具有重要意義。”

 

北卡羅來納州立大學材料科學與工程學副教授Ramón Collazo表示：“這項工作不僅可以減少電力電子設備中的能量損耗，而且可以使電力轉換系統比傳統的硅和碳化硅電子設備更加緊湊。因此，這些系統可能整合到目前不適用（因重量或大小而受限）的技術中，例如汽車、船舶、飛機或整個智能電網中的分布技術。”

 

在2021年發表的論文中，研究人員概述了一種利用離子注入和激活在GaN材料目標區域中進行摻雜的技術。換句話說，將雜質引入GaN材料的特定區域，有選擇性地僅在這些區域修改GaN的電學特性。

 

在新論文中，研究人員演示了如何利用這種技術來制造實際的設備。具體來說，研究人員使用選擇性摻雜的GaN材料，制造結勢壘肖特基（JBS）二極管。

 

Collazo表示：“在各類電力系統中，JBS二極管等電力整流器可用作開關。然而，以往這些部件由半導體硅或碳化硅制成，因為未摻雜GaN材料的電學性質與JBS二極管的架構不兼容，無法起作用。研究人員已經證明，可以通過選擇性摻雜GaN來制造功能性JBS二極管。這些二極管不僅具有功能性，而且提高了功率轉換的效率，超過傳統半導體的JBS二極管。例如，這種GaN JBS二極管在天然GaN基層上制備，具有創紀錄的高擊穿電壓（915 V）和低導通電阻。”

 

目前，研究人員致力于與行業伙伴合作，以擴大選擇性摻雜GaN的生產規模，并將尋找更多的合作伙伴，以解決更廣泛的制造問題，以及采用這種材料的電力設備的相關問題。

（來源：蓋世汽車）