證券之星消息，根據(jù)天眼查APP數(shù)據(jù)顯示晶合集成(688249)新獲得一項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)，專利名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法”，專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N202510153323.2，授權(quán)日為2025年5月27日。

專利摘要：本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，在第一溝槽的底部形成第一摻雜區(qū)之后，在第一摻雜區(qū)上形成具有傾斜側(cè)壁的第一填充層，傾斜側(cè)壁從第一溝槽的槽口向槽底逐漸延伸，向傾斜側(cè)壁注入第一離子，在傾斜側(cè)壁形成第二摻雜區(qū)，第二摻雜區(qū)從第一溝槽的槽口向槽底逐漸延伸，然后沉積第二填充層覆蓋第二摻雜區(qū)并填充第一溝槽，在第二填充層的頂部形成第三摻雜區(qū)，然后熱退火將第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)的第一離子向第一填充層、第二填充層中推進(jìn)擴(kuò)散，以在第一溝槽中形成半導(dǎo)體摻雜層，第二摻雜區(qū)增加了第一離子的擴(kuò)散均勻性，半導(dǎo)體摻雜層的第一離子均勻分布，半導(dǎo)體摻雜層的整體電阻小，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電性能更好。

今年以來(lái)晶合集成新獲得專利授權(quán)150個(gè)，較去年同期增加了7.14%。結(jié)合公司2024年年報(bào)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，2024年公司在研發(fā)方面投入了12.84億元，同比增21.41%。

數(shù)據(jù)來(lái)源：天眼查APP