天眼查顯示，蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119581993A。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底層；位于所述半導(dǎo)體襯底層一側(cè)的有源層；位于所述有源層背離所述半導(dǎo)體襯底層一側(cè)的光子晶體層，所述光子晶體層包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和保護(hù)層，所述第一半導(dǎo)體層中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半導(dǎo)體層背離所述有源層的一側(cè)表面延伸至所述第一半導(dǎo)體層中，所述保護(hù)層位于所述凹槽的內(nèi)壁表面，所述第二半導(dǎo)體層位于相鄰的凹槽之間的所述第一半導(dǎo)體層背離所述有源層的一側(cè)表面且未延伸至所述凹槽中。半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)的光場(chǎng)模式調(diào)控能力提高。