據(jù)報道，三星電子開始研發(fā)1nm（納米，10億分之1米）晶圓代工工藝。由于在即將量產(chǎn)的2nm工藝等技術(shù)上與臺積電存在現(xiàn)實差距，三星電子計劃加快1nm級工藝的開發(fā)，以創(chuàng)造反轉(zhuǎn)機會。

據(jù)9日業(yè)界消息，三星電子半導(dǎo)體研究所最近啟動了1nm工藝的開發(fā)。部分參與2nm等最尖端工藝開發(fā)的研究員被選拔出來，組成了項目團隊。在三星電子目前公開的晶圓代工工藝路線圖中，2027年計劃量產(chǎn)的1.4nm工藝是最尖端的。

1nm工藝需要打破現(xiàn)有設(shè)計框架的新技術(shù)概念，以及引入高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻機等下一代設(shè)備。消息稱，三星方面將量產(chǎn)時間定在2029年之后。

在三星電子正在量產(chǎn)的3nm和今年計劃量產(chǎn)的2nm領(lǐng)域，三星技術(shù)落后于臺積電。特別是在2納米方面，臺積電的良率已超過60%，與三星電子的差距不小，因此提前啟動了1nm工藝開發(fā)。

與此同時，三星的競爭對手也在加快1nm級工藝的開發(fā)。臺積電去年4月宣布將在2026年下半年開始生產(chǎn)介于1.4nm和2nm之間的1.6nm（16A）技術(shù)。此舉被視為應(yīng)對快速變化的人工智能（AI）半導(dǎo)體市場技術(shù)需求，并為下一代工藝搭建橋梁。

（來源：集微）