近日，武漢凈瀾檢測有限公司在官網(wǎng)公布了《智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目階段性竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收監(jiān)測報(bào)告表》，其中透露了智新半導(dǎo)體的SiC模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)展。

 文件說明，智新半導(dǎo)體 IGBT模塊項(xiàng)目為東風(fēng)全系統(tǒng)新能源汽車的戰(zhàn)略合作伙伴。因此，為進(jìn)一步東風(fēng)汽車的新能源汽車戰(zhàn)略，智新半導(dǎo)體經(jīng)過充分調(diào)研和論證，擬在公司一期項(xiàng)目30萬只產(chǎn)能的基礎(chǔ)上，進(jìn)行二期產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目。

 據(jù)悉，該項(xiàng)目屬于技改項(xiàng)目，位于武漢市經(jīng)開區(qū)，總投資約為1.63億，計(jì)劃在原有智新半導(dǎo)體有限公司租賃車間內(nèi)新增1條自動(dòng)化IGBT模塊封裝線，同時(shí)新增銀燒結(jié)相關(guān)工藝設(shè)備，具備SiC模塊研發(fā)及生產(chǎn)能力。