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格恩半導體取得半導體激光器封裝模組專利,降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

發表于:2025-02-17 來源:半導體產業網 編輯:

國家知識產權局信息顯示,安徽格恩半導體有限公司取得一項名為“一種半導體激光器封裝模組”的專利,授權公告號 CN 222441099 U,申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示,本實用新型公開了一種半導體激光器封裝模組,包括管腳、管座、管舌、熱沉和激光器芯片;激光器芯片與熱沉之間具有第一連接層;熱沉與管舌之間具有第二連接層;第一連接層的熱阻小于等于熱沉的熱阻;第二連接層的熱阻小于等于管座的熱阻;第二連接層的熱阻小于等于第一連接層的熱阻;第二連接層的熱阻小于等于管舌的熱阻,減少激光器模組的熱阻瓶頸點降低激光器模組的總熱阻進而降低激光器芯片的結溫,從而降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度,降低激光器芯片的壓電極化和量子限制stark效應,提升激光器芯片的量子限域效應、輻射復合效率和熱反轉電流密度,并降低跳模比例和改善老化過程的斜率效率下降。

天眼查資料顯示,安徽格恩半導體有限公司,成立于2021年,位于六安市,是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本8505.7882萬人民幣,實繳資本1316.6667萬人民幣。通過天眼查大數據分析,安徽格恩半導體有限公司共對外投資了1家企業,參與招投標項目4次,知識產權方面有商標信息2條,專利信息438條,此外企業還擁有行政許可12個。

 

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