2025年1月23日，由奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測方法 腐蝕坑密度測量法》、由中國科學院半導體研究所牽頭起草的標準T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測試方法》已完成征求意見稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見，為期一個月。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位。非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn
T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測方法 腐蝕坑密度測量法》描述了用擇優(yōu)化腐蝕技術(shù)測試氮化鋁拋光片中位錯密度的方法，包括方法原理、儀器設(shè)備、測試條件、樣品、測試步驟、結(jié)果計算和測試報告。
本文件適用于拋光加工后位錯密度小于10*7 個/cm2的氮化鋁拋光片位錯密度的測試，適用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直徑氮化鋁拋光片的測試。氮化鋁外延片可參照使用。
T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數(shù)的測試方法，包括原理、儀器設(shè)備、測試條件、樣品、測試步驟、結(jié)果計算和測試報告。
本文件適用于氮化鋁拋光片的光學質(zhì)量控制和評估。氮化鋁外延片可參照使用。