天眼查顯示，蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司近日取得一項名為“一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法”的專利，授權公告號為CN118610892B，授權公告日為2024年11月15日，申請日為2024年8月8日。

本申請公開了一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法，其中一種釋放氧化應力的VCSEL芯片包括：襯底；位于襯底一側依次生長的緩沖層、NDBR層、N型摻雜層、有源區層、P型摻雜層、PDBR層和歐姆接觸層；其中，P型摻雜層包括依次設置的第一摻雜層、第一超晶格結構層、氧化層、第二超晶格結構層和第二摻雜層，第一超晶格結構層和第二超晶格結構層分別包括交替生長的兩種或多種材料層。本申請公開的一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法，在保證正常的電流限制能力的同時，將應力弛豫到上下兩層超晶格結構層中，簡化工藝步驟，提高生產效率，提升器件工作壽命及可靠性，能廣泛應用于激光器制造領域。