天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司“基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月15日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118969603A。 

本發(fā)明涉及碳化硅技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底，其包括：1）準(zhǔn)備相同尺寸的多晶碳化硅晶圓和單晶碳化硅襯底片；2）將單晶碳化硅襯底片進(jìn)行氫注入，將氫離子注入到單晶碳化硅襯底片表面下并形成氫注入層；3）將單晶碳化硅襯底片形成氫注入層的一側(cè)與多晶碳化硅晶圓進(jìn)行鍵合并形成晶圓體；4）將步驟3）中得到的晶圓體沿氫注入層剝離單晶碳化硅襯底片。本申請(qǐng)由于使用基板是多晶碳化硅晶圓，單晶碳化硅襯底片層只有幾微米，大大降低了成本；同時(shí)多晶也不會(huì)產(chǎn)生翹曲；此外，多晶電導(dǎo)率要遠(yuǎn)高于單晶，可以不用減薄。