?隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展和新能源、新能源汽車等領(lǐng)域的興起，功率模塊市場呈現(xiàn)出穩(wěn)健的增長態(tài)勢。電源模塊技術(shù)不斷進步，特別是在新能源汽車領(lǐng)域，高效、可靠的電源模塊需求激增，推動了技術(shù)的快速發(fā)展。數(shù)字化、智能化和綠色環(huán)保趨勢的推進，電源模塊行業(yè)將迎來更多的創(chuàng)新和變革。?

近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。?論壇期間的“功率模塊與電源技術(shù)應用峰會”上，天津大學教授薛凌霄、小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)陳皓、瑞薩半導體寬禁帶半導體高級總監(jiān)嚴啟南、易能時代科技有限公司董事長兼CEO蘇昕、納微半導體應用總監(jiān)李賓、長城電源技術(shù)有限公司深圳研發(fā)中心副總經(jīng)理蔡磊、浙江大學副研究員閆海東、派恩杰半導體(浙江)有限公司應用主任工程師雷洋等專家們帶來精彩報告，共同探討功率模塊與電源技術(shù)應用的最新進展。浙江大學教授、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心電源管理技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟理事長吳新科，廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長邱宇峰共同主持了本屆峰會。

吳新科

浙江大學教授、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心電源管理技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟理事長

邱宇峰

廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長

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薛凌霄

天津大學教授

天津大學教授薛凌霄帶來了“氮化鎵器件在多輸出電源中的應用”的主題報告，介紹了現(xiàn)有多端口充電器存在的問題，擬議的基于多路復用的解決方案，用QR控制器實現(xiàn)多路復用等內(nèi)容，報告顯示，兩級多輸出轉(zhuǎn)換器不可擴展，提出了一種時分復用反激電路，演示了使用商用控制器的實現(xiàn)。報告指出，在滿載范圍內(nèi)運行，具有卓越的輕載效率和EMI。

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陳皓

小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)

小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)陳皓帶來了“塑封碳化硅模塊在800V電驅(qū)系統(tǒng)的應用”的主題報告，結(jié)合整車應用需求，分享了SiC塑封模塊關(guān)鍵技術(shù)、SiC應用挑戰(zhàn)、整車應用實績等內(nèi)容。報告指出，SiC應用挑戰(zhàn)涉及帶著雜散參數(shù)、芯片并聯(lián)、EMC、軸電流等。其中，EMC的挑戰(zhàn)涉及碳化硅高開關(guān)速度、高電壓，增大高頻共模噪聲；系統(tǒng)耦合干擾，兼容性設(shè)計難度高；充電功能復用，EMC濾波挑戰(zhàn)增大；濾波設(shè)計迭代，周期長、代價高等。軸電流的挑戰(zhàn)涉及電控、電驅(qū)復雜系統(tǒng)耦合；電機軸承、減速器多電流環(huán)路共存；電機雜散參數(shù)一致性、不同工況油膜形成狀態(tài)等多因素耦合等。

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嚴啟南

瑞薩半導體寬禁帶半導體高級總監(jiān)

瑞薩半導體寬禁帶半導體高級總監(jiān)嚴啟南帶來了“氮化鎵HEMT技術(shù)和產(chǎn)品路線圖”的主題報告，涉及單片GaN雙向、GaN FQS原型、1200V技術(shù)等內(nèi)容。報告顯示，藍寶石上的GaN技術(shù)實現(xiàn)了低成本1200V GaN，1200V GaN的性能優(yōu)于SiC MOSFET等。

蘇昕

易能時代科技有限公司董事長兼CEO

充電模塊是汽車充電設(shè)備中最重要的核心部件，占充電樁成本50%。易能時代科技有限公司董事長兼CEO蘇昕帶來了“電轉(zhuǎn)換電路與第三代半導體的協(xié)同發(fā)展”的主題報告，分享傳統(tǒng)電路中應用第三代半導體的思路，重新設(shè)計電路發(fā)揮第三代半導體的長處、降低第三代半導體的成本，解決大功率的痛苦。涉及EN5單極拓撲技術(shù)、EN5拓撲電路等。

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李賓

納微半導體應用總監(jiān)

納微半導體應用總監(jiān)李賓帶來了“氮化鎵與碳化硅驅(qū)動AI與數(shù)據(jù)中心的電源創(chuàng)新”的主題報告。數(shù)據(jù)中心和人工智能需要高效、高功率密度的電源，報告顯示，3.2 kW CrM圖騰柱PFC，峰值效率達到99.3%。構(gòu)建了尺寸為90 x 30.5 x 11mm的1.5 kW 12V LLC模塊原型，在半負載時實現(xiàn)了97.5%的峰值效率。1.6kW 54V LLC模塊原型采用正在申請專利的磁集成技術(shù)，在半負載時峰值效率超過97.8%。

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閆海東

浙江大學副研究員

浙江大學副研究員閆海東帶來了“基于低溫燒結(jié)技術(shù)的高性能SiC模塊封裝方法”的主題報告，下一代低溫燒結(jié)技術(shù)、N2-HCOOH中的低溫銅燒結(jié)、N2-HCOOH中的無壓銅燒結(jié)行為、無壓銅燒結(jié)的熱性能、大面積燒結(jié)AMB基板至散熱器、1200-600A SiC模塊的熱性能驗證等內(nèi)容。

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雷洋

派恩杰半導體(浙江)有限公司應用主任工程師

碳化硅（SiC）MOSFET由于其優(yōu)越的效率、高溫耐受性以及相比傳統(tǒng)硅器件更快的開關(guān)速度，已經(jīng)成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù)。然而，影響其廣泛應用的一個重要挑戰(zhàn)是參數(shù)漂移，這會對其長期穩(wěn)定性和性能產(chǎn)生影響。派恩杰半導體(浙江)有限公司應用主任工程師雷洋做了“基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究”的主題報告。報告指出，環(huán)流測試系統(tǒng)可以同時進行多個模塊的老化實驗，通過該實驗可以監(jiān)測被測SiC MOSFET的參數(shù)漂移情況。短期實驗結(jié)果表明，在殼溫155℃左右運行時，SiC MOSFET未觀察到明顯的參數(shù)漂移。該測試也可以擴展至不同應力條件下的加速老化實驗對比。

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蔡磊

長城電源技術(shù)有限公司深圳研發(fā)中心副總經(jīng)理

《基于第三代半導體器件的大功率AI 服務器電源解決方案》?

?（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）?