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2024年11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。?本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。?
目前，論壇的”第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)“日程出爐，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員陳媛、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書(shū)長(zhǎng)高偉受邀將共同主持研討會(huì)。?
屆時(shí)，重慶大學(xué)教授曾正，清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)孫博韜，忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理毛賽君，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室失效分析首席專(zhuān)家何光澤，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員雷志鋒，南京大學(xué)副研究員周峰，東南大學(xué)博士后李勝，廣東工業(yè)大學(xué)教授賀致遠(yuǎn)等來(lái)自產(chǎn)學(xué)研用不同環(huán)節(jié)的專(zhuān)家們齊聚，分享精彩主題報(bào)告，共同探討相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)技術(shù)、解決方案以及技術(shù)研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！?
分會(huì)詳細(xì)日程
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第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì) The Advanced Semiconductor Standard and Testing Seminar |
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時(shí)間：2024年11月20日 地點(diǎn)：蘇州國(guó)際博覽中心G館 ? G103-104 Time: Nov 20, 09:00-12:00 Location:?Suzhou International Expo Centre ? G103-104 |
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主持人 ???????陳媛 ?工業(yè)和信息化部電子第五研究所 ?研究員 Moderato ???高偉 ?第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 ?副秘書(shū)長(zhǎng) |
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14:00—14:10 |
領(lǐng)導(dǎo)致辭 |
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14:10—14:30 |
SiC功率器件開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法十議：T/CASAS 033-2024標(biāo)準(zhǔn)解讀 曾 正 教授 重慶大學(xué) |
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14:30—14:50 |
基于SiC MOSFET可靠性標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品驗(yàn)證與失效機(jī)制 孫博韜 研發(fā)總監(jiān) 清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司 |
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14:50—15:10 |
SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)體系符合性測(cè)試設(shè)備挑戰(zhàn)與整體解決方案 毛賽君 總經(jīng)理 忱芯科技（上海）有限公司 |
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15:10—15:30 |
面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用 何光澤 失效分析首席專(zhuān)家 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室 |
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15:30—15:40 |
休息 |
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15:40—16:00 |
面向新能源應(yīng)用的電力電子器件大氣中子單粒子燒毀風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估技術(shù) 雷志鋒 研究員 工業(yè)和信息化部電子第五研究所 |
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16:00—16:20 |
面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體GaN應(yīng)用的紫外脈沖激光輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù) 周 峰 副研究員 南京大學(xué) |
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16:20—16:40 |
GaN HEMT功率器件壽命預(yù)測(cè)SPICE模型研究 李 勝 博士后 東南大學(xué) |
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16:40—17:00 |
動(dòng)態(tài)應(yīng)力下GaN功率器件閾值電壓不穩(wěn)定性機(jī)理研究 賀致遠(yuǎn) 教授 廣東工業(yè)大學(xué) |
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17:00—17:30 |
交流與討論 |
參會(huì)聯(lián)系
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