山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)再傳喜訊，爍科晶體SiC二期項(xiàng)目已順利通過竣工驗(yàn)收，標(biāo)志著該項(xiàng)目正式投產(chǎn)。這一里程碑事件不僅為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)發(fā)展注入新動力，也為中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地的產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)創(chuàng)新奠定了堅實(shí)基礎(chǔ)。

爍科晶體SiC二期項(xiàng)目位于山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)瀟河產(chǎn)業(yè)園太原起步區(qū)（北區(qū)），是該地區(qū)重點(diǎn)推進(jìn)的高科技項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目在2023年8月完成備案，同年10月提交建設(shè)申請，并迅速在2023年9月開始建設(shè)，11月主體封頂。經(jīng)過緊張而有序的施工，項(xiàng)目于2024年3月進(jìn)入機(jī)電與設(shè)備安裝階段，并計劃于同年4月開始試運(yùn)行。如今，項(xiàng)目已圓滿完成驗(yàn)收，正式宣告投產(chǎn)。

二期項(xiàng)目的建成，預(yù)計將為爍科晶體帶來每年新增20萬片6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)能，其中包括N型碳化硅單晶襯底20萬片/年、高純襯底2.5萬片/年、莫桑晶體1.3噸/年。這一產(chǎn)能的擴(kuò)張，不僅滿足了市場對高性能半導(dǎo)體材料的迫切需求，也進(jìn)一步鞏固了爍科晶體在碳化硅材料領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。在技術(shù)創(chuàng)新方面，二期項(xiàng)目采用了先進(jìn)的自組裝單層技術(shù)，優(yōu)化了碳化硅晶體生長過程，提高了晶體質(zhì)量。此外，項(xiàng)目還引入了新的生產(chǎn)設(shè)備和工藝，進(jìn)一步提升了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品性能。