國家知識產權局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項名為“功率半導體器件結構及其制備方法”的專利，公開號 CN 118748202 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種功率半導體器件結構及其制備方法。該結構包括：襯底，其中，襯底被劃分為元胞區(qū)和終端區(qū)，終端區(qū)位于元胞區(qū)的外圍；主結結構，位于襯底的第一側且位于元胞區(qū)內多個場環(huán)結構位于襯底的第側且位于終端區(qū)內，多個場環(huán)結構包括多個場限環(huán)和至少一個截止環(huán)。至少一個截止溝槽，位于襯底的第一側、且在第一方向上位于相鄰的場限環(huán)和截止環(huán)之間，截止溝槽內填充有電極材料。通過設計截止溝槽，且截止溝槽內填充有電極材料，截止溝槽結構能夠等同于一個電極，實現電場的截止，因此可以縮短最外圍的一個場限環(huán)和截止環(huán)之間的距離，進而有利于終端區(qū)的面積的縮小，便于實現功率半導體器件的小型化、集成化設計。