國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項名為“功率半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利，公開號 CN 118748202 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種功率半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。該結(jié)構(gòu)包括：襯底，其中，襯底被劃分為元胞區(qū)和終端區(qū)，終端區(qū)位于元胞區(qū)的外圍；主結(jié)結(jié)構(gòu)，位于襯底的第一側(cè)且位于元胞區(qū)內(nèi)多個場環(huán)結(jié)構(gòu)位于襯底的第側(cè)且位于終端區(qū)內(nèi)，多個場環(huán)結(jié)構(gòu)包括多個場限環(huán)和至少一個截止環(huán)。至少一個截止溝槽，位于襯底的第一側(cè)、且在第一方向上位于相鄰的場限環(huán)和截止環(huán)之間，截止溝槽內(nèi)填充有電極材料。通過設計截止溝槽，且截止溝槽內(nèi)填充有電極材料，截止溝槽結(jié)構(gòu)能夠等同于一個電極，實現(xiàn)電場的截止，因此可以縮短最外圍的一個場限環(huán)和截止環(huán)之間的距離，進而有利于終端區(qū)的面積的縮小，便于實現(xiàn)功率半導體器件的小型化、集成化設計。