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九峰山實驗室近日在磷化銦（InP）材料領域取得重要技術突破，成功開發出6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。

2025年2月，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)在氧化鎵晶體生長與加工技術方面取得了新突破，成功實現6英寸斜切氧化鎵襯底的制備，其中襯底主面為(100)面沿 [00-1] 方向斜切4°。

5月28日，位于湖北光谷科學島的長飛先進武漢基地投產，其首片6英寸碳化硅晶圓下線。

揚州晶新微電子有限公司投資的6英寸半導體芯片生產線項目正在緊張有序的進行生產。

2025年4月17日，捷捷微電披露接待調研公告，公司于4月16日接待博時基金、東北電子、東方基金、國聯基金管理、國信證券等48家機構

朗峰新材料納米晶粉與納米晶器件項目、準芯半導體先進6英寸硅基工業級功率半導體芯片項目、大道空天高新科技（內蒙古）有限公司無人機研發制造項目集中開工儀式在準格爾經濟開發區大路產業園舉行。

環球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）基板的價格已經穩定，但市場反彈仍不確定。

華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產線第一片晶圓成功下線！

百立新半導體6英寸MEMS晶圓制造線項目備案手續已批復，項目建設周期為2024年至2026年。

預計今年二季度將建成國內領先的特色工藝晶圓生產線，并實現整線通線，進行試生產。

據順義科創官微披露消息，近日，瑞能微恩半導體（北京）有限公司廠房項目已完成全部施工內容，擴建工程已通過竣工驗收。據悉，瑞

11月6日，北一半導體科技有限公司（以下簡稱北一半導體）在其官微宣布其晶圓廠喜封金頂。據介紹，北一半導體投資20億元在穆棱經

西安電子科技大學郝躍院士課題組張進成教授、李祥東教授團隊與松山湖材料實驗室王新強教授、袁冶副研究員團隊，以及廣東致能科技有限公司聯合攻關

9月11日晚，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱鎵仁半導體）宣布，公司今年8月在氧化鎵襯底加工技術上取得突破性進展，成功研制超

安芯電子車規級6英寸晶圓設計制造項目、淄博芯材集成電路封裝載板項目、晶能微電子車規級半導體封測基地一期項目、民翔半導體存儲項目、河南芯盛半導體封測項目、冠石半導體光掩模版項目迎來新進展

合盛硅業董事&合盛新材料總經理浩瀚表示,合盛新材從2018年開始正式進軍碳化硅產業,目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及芯片外延等全產業鏈核心工藝技術,突破關鍵材料(多孔石墨、涂層材料)和裝備的技術壁壘,6英寸襯底和外延片已得到國內多家下游器件客戶的驗證,8英寸襯底研發進展順利。

投資約20億元，年產120萬片6英寸功率半導體特色工藝晶圓產線9月底試生產

近日，泰科天潤披露了最新6英寸SiC電力電子器件產業化項目環境影響報告表。文件顯示，泰科天潤6英寸碳化硅電力電子器件產業化項

近日，據湖北新聞透露，長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂，明年7月投產，達產后預計可年產36萬片6英寸SiC晶片及外延片、年產

該項目為廣東省2022年和2023年重點建設項目、深圳市2022年和2023年重大項目，是深圳加快第三代半導體產業發展的重要布局。