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11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。智慧照明設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新峰會日程出爐，敬請關(guān)注！

北京大學(xué)教授、理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波將出席論壇，并將帶來《基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件》的大會報(bào)告，敬請期待！

11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。光醫(yī)療技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇日程公布，敬請期待

11月1日，蘇州國科測試科技有限公司（以下簡稱：國科測試）官宣于近日完成數(shù)千萬元A輪融資，該輪融資由鑫霓資產(chǎn)獨(dú)家投資，本輪融

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦?！皣鴦?chuàng)中心（蘇州）”誠摯邀請產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B08-B09號展位參觀交流、洽談合作。

IFWS分會之一的“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會“最新報(bào)告日程正式出爐。將于11月20日，在蘇州國際博覽中心G館 ? G103-104召開，誠邀邀請業(yè)界同仁參與。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。中博芯將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨 C08號展位參觀交流、洽談合作。

2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、第六屆先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2024）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。目前，論壇正有序推進(jìn)中，征文已超200篇，最新一批60+嘉賓報(bào)告公布。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。朗明納斯將出席此次盛會，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，參觀交流、洽談合作。

11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹將出席論壇，并帶來“用于病毒滅活的藍(lán)寶石生長230nm遠(yuǎn)紫外光功率模組的開發(fā)研究”的大會報(bào)告。

11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。瑞典皇家科學(xué)院院士、瑞典皇家工程院院士、隆德大學(xué)教授Lars Samuelson將出席論壇，并將帶來“實(shí)現(xiàn)超小型全氮化物Micro-LED的納米級材料科學(xué)技術(shù)”的大會報(bào)告。

據(jù)方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華在發(fā)言中提到，方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)

近日從山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)獲悉，山西省大力實(shí)施的全產(chǎn)業(yè)鏈培育工程第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈強(qiáng)鏈工程之一山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基

順義區(qū)融媒體中心消息 順義科創(chuàng)集團(tuán)穩(wěn)步推進(jìn)市、區(qū)兩級重點(diǎn)項(xiàng)目第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）建設(shè)，目前，項(xiàng)目

9月14日，水土保持網(wǎng)披露了長城無錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡稱芯動(dòng)半導(dǎo)體）水土保持設(shè)施驗(yàn)收鑒定書。文件顯示，芯動(dòng)半導(dǎo)

中電四公司成功中標(biāo)北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（1#生產(chǎn)廠房等12項(xiàng)）”，中標(biāo)金額：1159022898.60元。

國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)——天科合達(dá)摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目，標(biāo)志著北方芯谷新建區(qū)建設(shè)全面啟動(dòng)。

近日，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局發(fā)布了北京市第六批專精特新小巨人企業(yè)和第三批專精特新小巨人復(fù)核通過企業(yè)名單。順義區(qū)第三代半導(dǎo)體

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。

導(dǎo)體項(xiàng)目、安力科技第三代半導(dǎo)體及大硅片襯底研磨液項(xiàng)目、全芯微電子半導(dǎo)體高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目、遼寧恩微芯片封裝測試項(xiàng)目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化鋁項(xiàng)目，日本航空電子高端電子元器件項(xiàng)目、露笑科技第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目和大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項(xiàng)目迎來新進(jìn)展。