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英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市。該系列憑借更小尺寸、更快開關速度、更高效率的顯著優勢，在關鍵性能指標上實現突破性進展，為電源系統設計樹立新標桿。

8月19日，新潔能發布公告稱，公司在募投項目實施主體、實施方式、募集資金投資用途及投資規模不發生變更的情況下，公司根據目前

2025年8月14日，IEEE國際寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會（ITRW）在北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）召開專題會

由順義科創集團投資建設的市、區兩級重點項目第三代等先進半導體產業標準化廠房項目（二期）順利通過竣工驗收。該項目位于中關村

第三代等先進半導體產業標準化廠房項目（二期）成功通過竣工驗收

推動國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)(以下簡稱“國創中心(蘇州)”)創新平臺高質量發展，現面向全國發布 2025 年度國創中心(蘇州)“揭榜掛帥”項目指南并組織申報

近年來，全球半導體產業迎來爆發式增長，中國半導體市場更是呈現資金加速涌入、產能快速擴張、企業積極出海的發展態勢，半導體設

第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2025年11月11-14日在廈門召開。論壇與IEEE長期合作，投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表。

7月11日，以賦能新應用、共建生態鏈為主題的2025白石山第三代半導體產業發展大會在保定淶源華中假日酒店舉行。本屆大會由第三代

6月25日，雷電微力在深交所互動易平臺回復投資者提問時表示，公司研制低成本低剖面氮化鎵組件，部分產品已量產。第三代半導體氮

2025白石山第三代半導體產業發展大會將于7月10日-11日在河北保定召開。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）發布《三電平SiC MOSFET功率模塊開關動態特性測試方法》和《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》兩項標準立項通知。詳情如下：

6月18日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過由浙江大學牽頭

6月18日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過由合肥工業大學

在近期日本熊本市舉辦的第37屆國際功率半導體器件和集成電路會議（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大學江蘇省第三代半導體與高能效器件重點實驗室張榮和陸海教授研究團隊入選了兩篇氮化鎵（GaN）功率器件輻照效應研究論文，向國際同行展示了宇航級GaN功率器件研究最新成果。

第37屆功率半導體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網特派記者參加ISPSD2025，并在現場也遇見了聯盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時也了解了當前最新技術&新方向，以下簡單回顧一下熱點走向！

第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2025年11月12-14日在廈門召開。

近日，遼寧國瑞新材料有限公司（簡稱國瑞新材）完成數億元B輪融資，此次融資由深創投、華映資本、國泰君安創新投、眾行資本、中

第三代等先進半導體產業標準化廠房項目（二期）目前正全力推進中，預計今年7月底完工。

為推進第三代半導體在新能源汽車領域的創新應用，加快新能源汽車產業升級轉型，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合廣東芯聚能