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深圳大學(xué)材料學(xué)院劉新科課題組成功在氮化鎵單晶襯底上外延了具有p型導(dǎo)電特性的高質(zhì)量連續(xù)的MoxRe1-xS2薄膜，制備了一個(gè)完全垂直的p-2D/GaN異質(zhì)光電二極管。器件具有突出的光開關(guān)比（> 106）和極高的光探測(cè)率（6.13×1014），實(shí)現(xiàn)了紫外到可見、近紅外區(qū)域的寬光譜檢測(cè)。

這個(gè)問題促使香港科技大學(xué)和中國其他三所機(jī)構(gòu)的16名研究人員組成的團(tuán)隊(duì)不斷思考。經(jīng)過多年努力，他們終于成功制造出一種晶體管，他們稱之為混合場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HyFET）。

GaN技術(shù)正處于一個(gè)充滿機(jī)遇的階段，其發(fā)展前景十分廣闊。盡管相較于硅或GaAs，GaN仍是一項(xiàng)相對(duì)年輕的技術(shù)，但其進(jìn)步速度之快令人

太原理工大學(xué)周兵課題組和武漢大學(xué)袁超課題組合作，先后在國際權(quán)威期刊《Materials Characterization》和《Diamond & Related Materials》上，發(fā)表研究論文。

據(jù)中國科學(xué)院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項(xiàng)

近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延

2023年11月28日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會(huì)議中心盛大開幕。

氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga

得益于高功率、高頻率和高溫環(huán)境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術(shù)在具有廣闊的發(fā)展前景。技術(shù)發(fā)展具有持續(xù)的創(chuàng)新和應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱致能科技）完成首個(gè)1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺(tái)。在滿足1200V系

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用

隨著5G、碳中和、AI時(shí)代的來臨，芯片市場(chǎng)需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料正迎來廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機(jī)會(huì)和關(guān)注焦點(diǎn)。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

新科技時(shí)代背景下，人工智能、能源環(huán)保、自動(dòng)駕駛等需求驅(qū)動(dòng)下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料迎來廣闊的發(fā)展前景

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進(jìn)半導(dǎo)體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

硅基氮化鎵橫向功率器件因其低比導(dǎo)通電阻、高電流密度、高擊穿電壓和高開關(guān)速度等特性，已成為下一代高密度電力系統(tǒng)的主流器件之

科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)?？萍疾恳恢备叨戎匾暤谌雽?dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從“十五”期間開始給予了長(zhǎng)期持續(xù)支持，建立了從材料、器件到應(yīng)用的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。下一步還將與各地方溝通協(xié)作，加強(qiáng)統(tǒng)籌謀劃和技術(shù)布局，加強(qiáng)人才培養(yǎng)，加強(qiáng)國際合作，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)有機(jī)銜接，強(qiáng)化以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)。

氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛用于信息化社會(huì)、人工智能、萬物互聯(lián)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、現(xiàn)代醫(yī)療、智能交通、國防