2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。華南師范大學研究員王幸福受邀將出席論壇，并帶來《壓電電子學調控氮化鎵異質結電子氣及HEMT器件特性》的主題報告，敬請關注！
2月26-28日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。杭州云鎵半導體科技有限公司器件研發經理李茂林受邀將出席論壇，并帶來《氮化鎵功率器件與工業級應用前景》的主題報告，敬請關注！
香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報告了多項基于寬禁帶半導體氮化鎵，碳化硅的最新研究進展。研究成果覆蓋功率器件技術和新型器件技術.
在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）結溫高精度測試方面實現新進展，該研究提出的多波長激光瞬態熱反射（MWL-TTR）技術，成功實現亞微米級空間分辨、納秒級時間分辨的溝道溫度精準監測。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展。
官員們正在確定哪些設備需要獲得出口至中國的許可。
英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。
今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科
中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。
“氮化鎵功率電子器件技術III”的分會上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術進展與發展趨勢。
“氮化鎵功率電子器件技術II”分會上，嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
據先導科技集團官微消息，日前，由先導科技集團旗下先導光電子事業部牽頭的安徽省科技創新攻堅計劃-氮化鎵藍光裝備的全鏈條國產
”氮化鎵功率電子器件技術 I“分會上，嘉賓們齊聚一堂，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
清華大學羅毅院士課題組與安徽格恩半導體有限公司合作，通過深入研究GaN同質外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應力調控以及腔面鍍膜技術，制備了高效的GaN藍光激光二極管。
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心王新強教授與北京大學電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。
11月28日，中國證監會國際合作司發布關于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發行上市備案通知書
“氮化鎵射頻電子器件與應用分會”上，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創新中心FLAB三代特色半導體工藝技術創新的新模式，包括硬件建設、軟件建設、開發體系、技術路線等。
“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告
氮化鎵功率電子器件技術分會日程出爐，本屆分會將分為三個場次充分探討，敬請關注！
納微半導體今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數據中心。