近期，寬禁帶半導體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領域取得重要突破，成
氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導率高、抗輻射能力強等優異性能，在藍綠激
寬禁帶半導體具有穩定的光電特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光電探測器的理想材料。然而，基于純寬禁帶半導體的光電探
全文刊載于《前瞻科技》2025年第1期新材料前沿：技術創新與未來展望，點擊文末閱讀原文獲取全文。趙璐冰-副研究員-第三代半導體
日盲紫外探測器（200-280nm）作為國防安全與環境監測的火眼金睛，在森林火災預警、深空探測等領域發揮著不可替代的作用。然而，
近日，蘭州大學物理學院青年研究員張澤民，聯合李穎弢教授，中科大趙曉龍教授、龍士兵教授，在寬禁帶半導體光電探測領域取得重要
近日，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、張金風教授研究組在超寬禁帶半導體金剛石功率器件方向取得重要進展。在國際知名
從蘭州大學獲悉，該校物理科學與技術學院聯合中國科學技術大學組成的研究團隊，在寬禁帶半導體光電探測領域取得重要進展，成功開
香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報告了多項基于寬禁帶半導體氮化鎵，碳化硅的最新研究進展。研究成果覆蓋功率器件技術和新型器件技術.
沙特阿卜杜拉國王科技大學先進半導體實驗室（Advanced Semiconductor Laboratory）在超寬禁帶半導體氮化鋁（AlN）肖特基勢壘二極管（SBDs）性能優化上取得重要進展。
2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶融創施柏閣酒店舉辦。中國科學院上海微系統與信息技術研究所游天桂受邀將出席論壇，并帶來《基于離子束剝離與轉移技術的寬禁帶半導體異質集成材料與器件》的主題報告，敬請關注！
2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶融創施柏閣酒店舉辦。國家自然科學基金委員會高技術研究發展中心，原技術總師史冬梅受邀將出席論壇，并帶來《氧化鎵和金剛石超寬禁帶半導體技術發展態勢》的主題報告，敬請關注！
【項目概況】超寬禁帶半導體相關設備采購招標項目的潛在投標人應在湖北省政府采購電子交易數據匯聚平臺（網址：https://czt.hube
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展。
近日，半導體照明聯合創新國家重點實驗室官網正式官宣寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室重組獲批，但目前官網頁面的
進入第四季度以來，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目正開足馬力，搶抓施工
鎵仁半導體在超寬禁帶半導體材料領域取得重大突破
國家知識產權局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202
中國科學院上海微系統所異質集成XOI團隊和南京電子研究所超寬禁帶半導體研究團隊合作，在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展。
期間，“超寬禁帶半導體技術 I”分會上，深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報告，討論超寬帶隙半導體的研究狀況和主要問題，分享了實驗室團隊近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。