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近日，中國人民銀行、工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、財政部、金融監(jiān)管總局、中國證監(jiān)會、國家外匯局聯(lián)合印發(fā)《關(guān)于金融支持新

由寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心主辦，InSemi Research、協(xié)創(chuàng)微半導(dǎo)體聯(lián)合承辦，碳化硅芯觀察協(xié)辦，功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟、無錫市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、無錫市集成電路學(xué)會協(xié)辦的“功率器件制造測試與應(yīng)用大會(第三屆IPF 2025)”將于2025年8月21-22日在中國無錫盛大啟幕。

推動國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)(以下簡稱“國創(chuàng)中心(蘇州)”)創(chuàng)新平臺高質(zhì)量發(fā)展，現(xiàn)面向全國發(fā)布 2025 年度國創(chuàng)中心(蘇州)“揭榜掛帥”項目指南并組織申報

7月18日，國新辦召開新聞發(fā)布會，介紹2025年上半年工業(yè)和信息化發(fā)展情況。記者從會上獲悉，工信部已將2400余家中試平臺納入儲備

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件的專利，公開號CN120262170A，申請日

一、課題組介紹廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組依托國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺、教育部微納光電子材料與器件工程研究中心、福建省

近日，由華東理工大學(xué)牽頭的國家重點研發(fā)計劃 大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)項目啟動暨實施方案論證會在

7月7日，國家發(fā)展改革委辦公廳等四部門發(fā)布《關(guān)于促進(jìn)大功率充電設(shè)施科學(xué)規(guī)劃建設(shè)的通知》。進(jìn)一步優(yōu)化完善我國充電設(shè)施網(wǎng)絡(luò)布局

6月30日，科技部網(wǎng)站公布《國家科學(xué)技術(shù)獎勵條例實施細(xì)則》（以下簡稱《實施細(xì)則》）。文件提到，國家最高科學(xué)技術(shù)獎每次授予人

加拿大政府以所謂“國家安全”為由，命令海康威視加拿大有限公司停止在加拿大運營并關(guān)閉其加拿大業(yè)務(wù)

華中科技大學(xué)國家脈沖強(qiáng)磁場科學(xué)中心李亮教授團(tuán)隊20日成功實現(xiàn)71.36特斯拉平頂脈沖磁場強(qiáng)度，刷新了該中心于2018年創(chuàng)造的64特斯拉平頂脈沖磁場強(qiáng)度世界紀(jì)錄

6月10日，國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作重點專項氧化鎵單片功率電子集成器件研究項目啟動會暨實施方案論證會在中山大學(xué)東

近日，工信部公示首批重點培育中試平臺初步名單。人福醫(yī)藥創(chuàng)新藥中試平臺、鼎康生物重組蛋白藥物中試平臺、華中數(shù)控全國產(chǎn)化芯片和操作系統(tǒng)高檔數(shù)控系統(tǒng)中試平臺、九峰山實驗室化合物半導(dǎo)體中試平臺、華星光電柔性及印刷OLED 顯示中試平臺、國創(chuàng)中心數(shù)字化設(shè)計與制造中試平臺等6家光谷中試平臺入選。

日前，經(jīng)國務(wù)院同意，工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、教育部、科技部、財政部、市場監(jiān)管總局、金融監(jiān)管總局、國家知識產(chǎn)權(quán)局、

國務(wù)院新聞辦公室于2025年5月7日上午9時舉行新聞發(fā)布會，請中國人民銀行、國家金融監(jiān)督管理總局、中國證券監(jiān)督管理委員會負(fù)責(zé)人介紹“一攬子金融政策支持穩(wěn)市場穩(wěn)預(yù)期”有關(guān)情況，并答記者問。

近期，寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件的專利，公開號 CN 119836082 A

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司、蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司取得一項名為模式調(diào)控

近日，電科芯片所屬西南設(shè)計牽頭制定的國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測試方法》正式實施。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成