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近期，寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件的專利，公開號 CN 119836082 A

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司、蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司取得一項名為模式調(diào)控

近日，電科芯片所屬西南設(shè)計牽頭制定的國家標準《半導(dǎo)體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測試方法》正式實施。該標準規(guī)定了半導(dǎo)體集成

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司申請一項名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為功率半導(dǎo)體器件和制造功率半導(dǎo)體器件的方法的專利，公開號 CN 1197

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法的專利，公開號CN 119767774

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊的專利，公開號CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西譽鴻錦材料科技有限公司取得一項名為種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法的專利，授權(quán)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的專利，公開號 CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鎵特半導(dǎo)體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器的專利，授權(quán)公告號CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司申請一項名為一種在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的方法的

誰能把握大數(shù)據(jù)、人工智能等新經(jīng)濟發(fā)展機遇，誰就把準了時代脈搏。國家主席習(xí)近平在金磚國家領(lǐng)導(dǎo)人第十四次會晤上的重要講話（20

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海光通信有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的專利，公開號 CN 119626900 A，申

日前，國家市場監(jiān)督管理總局、國家標準化管理委員會正式發(fā)布（GB/T 44334-2024）《 埋層硅外延片》國家標準，并于2025年3月1日正

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權(quán)公告號 CN 222563696 U，

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州創(chuàng)芯致尚微電子有限公司取得一項名為一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置的專利，授權(quán)公告號CN 22255